急难先锋2017雪崩攻略:控制电路:键控式调光台灯电路图
来源:百度文库 编辑:偶看新闻 时间:2024/05/01 20:54:50
键控式调光台灯电路图
键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光,当轻触其中一个按键时,光线将由强变弱,轻触另一个按键时,光线便会由弱变强。
工作原理
电路原理见图1(点此下载原理图),VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源,由MOS场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管,防止场效应管栅极击穿。当按下S1时,由R1向C1充电,使栅极电压上升,可可控硅的触发电流上升,导通角变大,光线增加,当按下S2时,C1沿R2放电,栅极电压下降,可控硅的导通角变小,光线变暗。当S1、S2都放开时,由于MOS场效应管的栅源电阻很大,C1两端的电压将基本不变,所以可控硅的导通角也将不变,光线稳定下来。
元器件选择与制作
元器件清单见下表。
编 号 名 称 型 号 数 量
R1 电阻 39K 1
R2 电阻 24K 1
R3、R4、R5 电阻 1K 3
C1、C2电解电容 100u/16V 2
C3 金属化纸介电容 0.47u/400V 1
VD1、VD2整流二极管 IN4007 2
VDW1、VDW2稳压二极管 2CW1 2
VDW3 稳压二极管 2CW21 1
VS 双向可控硅 1A/400V 如3CTS1A 1
JF MOS场效应管 IDSS≥5mA,BVDS≥15V 1
S1、S2 轻触开关 2
场效应管JF的IDSS≥5mA,BVDS≥15V,可控硅VS选用1A/400V即可,如3CTS1A等。其它元件无特殊要求,具体数值已标在图(表)中。电阻R1、R2的数值决定了电容C1的充放电时间。在制作时,若光线变化太快时,应适当增大R1、R2的数值,反之应减小。
键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光,当轻触其中一个按键时,光线将由强变弱,轻触另一个按键时,光线便会由弱变强。
工作原理
电路原理见图1(点此下载原理图),VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源,由MOS场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管,防止场效应管栅极击穿。当按下S1时,由R1向C1充电,使栅极电压上升,可可控硅的触发电流上升,导通角变大,光线增加,当按下S2时,C1沿R2放电,栅极电压下降,可控硅的导通角变小,光线变暗。当S1、S2都放开时,由于MOS场效应管的栅源电阻很大,C1两端的电压将基本不变,所以可控硅的导通角也将不变,光线稳定下来。
元器件选择与制作
元器件清单见下表。
编 号 名 称 型 号 数 量
R1 电阻 39K 1
R2 电阻 24K 1
R3、R4、R5 电阻 1K 3
C1、C2电解电容 100u/16V 2
C3 金属化纸介电容 0.47u/400V 1
VD1、VD2整流二极管 IN4007 2
VDW1、VDW2稳压二极管 2CW1 2
VDW3 稳压二极管 2CW21 1
VS 双向可控硅 1A/400V 如3CTS1A 1
JF MOS场效应管 IDSS≥5mA,BVDS≥15V 1
S1、S2 轻触开关 2
场效应管JF的IDSS≥5mA,BVDS≥15V,可控硅VS选用1A/400V即可,如3CTS1A等。其它元件无特殊要求,具体数值已标在图(表)中。电阻R1、R2的数值决定了电容C1的充放电时间。在制作时,若光线变化太快时,应适当增大R1、R2的数值,反之应减小。
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