偶看新闻大学物理电磁学总结:BANK计算公式
来源：百度文库 编辑：偶看新闻 时间：2024/04/28 21:20:07
1.BANK计算公式可表示为：
BANK数＝颗粒数×位宽/64bit
下面来看看INTEL各芯片组对于内存的支持（资料来自于官方文档）
其中，芯片容量可如下计算：
芯片容量＝内存容量×8bit/颗粒数
例如：
256M的内存，双面16颗粒，则芯片容量为256×8/16＝128bit
Intel440BX芯片组支持的SDRAM芯片类型
——————————————————————————————————
芯片容量|数据深度| 位宽|行地址线|列地址线|逻辑BANK数|单BANK最大容量
——————————————————————————————————
| 2M | 8bit | 12 | 9 | 2 | 16MB
|—————————————————————————————
| 2M | 8bit | 13 | 8 | 2 | 16MB
16M bit |—————————————————————————————
| 4M | 4bit | 12 | 10 | 2 | 32MB
|—————————————————————————————
| 4M | 4bit | 14 | 8 | 2 | 32MB
———— |—————————————————————————————
| 4M |16bit| 14 | 8 | 4 | 32MB
|—————————————————————————————
64M bit | 8M | 8bit | 14 | 9 | 4 | 64MB
|—————————————————————————————
| 16M | 4bit | 14 | 10 | 4 | 128MB
———— |—————————————————————————————
Intel 815（E/EP）芯片组支持的SDRAM芯片类型
——————————————————————————————————
芯片容量|数据深度| 位宽|行地址线|列地址线|逻辑BANK数|单BANK最大容量
——————————————————————————————————
16M bit | 2M | 8bit | 11 | 9 | 2 | 16MB
————|—————————————————————————————
| 8M | 8bit | 12 | 9 | 4 | 64MB
|—————————————————————————————
64M bit | 4M |16bit | 12 | 8 | 4 | 32MB
|—————————————————————————————
| 16M | 4bi t| 14 | 10 | 4 | 128MB
————|—————————————————————————————
| 16M | 8bit | 12 | 10 | 4 | 128MB
128M bit|—————————————————————————————
| 8M |16bit| 12 | 9 | 4 | 64MB
————|—————————————————————————————
| 32M | 8bit | 13 | 10 | 4 | 256MB
256M bit|—————————————————————————————
| 16M |16bit | 13 | 9 | 4 | 128MB
——————————————————————————————————
也有传闻说815EP可支持32M×4的结构，但据我测试好像不行。
其实从上表可以清楚地看出为什么会产生这样的情况了。
同样一根256M内存，如果位宽不在支持之列，假设颗粒为8M×32bit，则位宽不被北桥所识别，则该内存无法使用；
同时，若颗粒为16×16bit，则这时颗粒数应为8颗，则BANK=8×16/64＝2，该内存有2个BANK，而从表中可以看到单BANK可以支持到128M，则1根DIMM可以支持到256M，完全可以使用。
若像大度内存，位宽为4，数据深度为32M，则由表中可见，位宽为4bit的内存，最大支
持的数据深度为16M，则在BX和815EP主板上都识别为128M，其余容量丢失。
市面上常见的内存芯片格式：
芯片格式 容量 内存条主要形式 bx、815、via 备注
8M×8 8M 单面64M， 双面128M 均支持 主流内存
16M×4 8M 无单面 双面128M 均支持 较少见
16M×8 16M 单面128M，双面256M 均支持 主流内存
16M×16 32M 单面256M，双面512M bx不支持 很少见
32M×4 16M 无单面 双面256M bx、815E不支持 例：大度256M内存
32M×8 32M 单面256M，双面512M bx不支持 例：ncp单面256M内存
结论：
所以，对于128M以下的内存条来说，目前这些芯片组都支持。
对于256M内存，bx主板不支持所有的单面256M内存。
bx和815E主板都不支持大度256M双面内存。
其他内存基本没有问题。
发信人: dzy (小D§爱佳佳), 信区: CompMarket
标 题: 关于内存bank和主板支持的问题简述
发信站: BBS 水木清华站 (Sun Jun 17 13:15:14 2001)
解释一下：类似的文章前面好几个人写过了，ifan也刚刚写过。但是我觉得这个问题确实
比较难以理解，我也是看过了好多文章才弄明白。所以我想我来说一说可能
还是会有用处，因为每个人写文章的侧重点都不太一样，读者所能读到的东西
可能就不一样。所以我自己又写了写，不是认为前人写的文章不好，
大家别误会。
正文：
对于内存的bank和芯片组支持内存的问题，好多人搞不明白。我也是一知半解。
今天把以前的文章看了看，发现自己又多理解了一点。现在我针对普通的网友
把这件事情解释一下，同时可以回答几个问题：
1,内存的标号——数据深度M×数据宽度（单位bit）。这就是一般内存芯片上**M×**
的含义。比如16×8、8×8等，包括显存也是如此。如果芯片上没有直接标出，也
可以在编号中看出，一般是在编号的中部几个数字，如ncp内存编号：
NP33S328256K-7.5
中间的328就是32M×8，其他内存也是如此，大家找一找象168、324这样的数字就可以了。
2,内存芯片的容量计算：数据深度×数据宽度。比如16×8的芯片，就是16×8=128Mb。
注意！是Mb，而8bit＝1Byte，所以8Mb＝1MB。平时大家说的128M内存，8M芯片等等都是
指的MB。所以换算成大家常说的MB的话，就应该这么算：
数据深度×数据宽度/8＝内存颗粒容量
数一数内存条上有几个芯片，这条内存的总容量也就算出来了。
大家可以自己验证一下。
3,物理bank。大家经常提到显存的数据位宽这个概念，比如说tnt2是128位的，geforce
256就是256位的。内存也是如此，它是64位的，就是说cpu从内存读写数据，是64位并行。
而对于一条内存来说，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。
这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。
如：
128M内存16×8格式8个芯片：8×8=64，所以单面内存单bank
128M内存8×8格式16个芯片：8×16=128，所以双面内存双bank
大度256M内存32×4格式16个芯片：4×16=64，所以双面内存单bank
256M内存16M×16格式 8各芯片：16×8=128，所以单面内存双bank
所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系，大家可以理解了吧？
4,主板对于内存的支持：
主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。
每种芯片组具体支持的内存格式可以去intel、via等官方网站上查到。
内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同：
内存颗粒数据宽度 4 8 16
bx支持的最大数据深度 16 16 4
815E 16 32 16
via芯片组 支持所有深度
当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是
可以正常使用。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为 64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的 SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。
以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。 P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P -Bank已经不能满足容量的需要。所以，芯片组开始可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作，这就有了芯片组支持多少（物理）Bank 的说法。而在 Intel的定义中，则称P-Bank为行（Row），比如845G芯片组支持4个行，也就是说它支持4个P-Bank。另外，在一些文档中，也把P- Bank称为Rank（列）。
逻辑Bank与芯片位宽
讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
L-Bank存储阵列示意图
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。所以人们在 SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了 32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。
这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。
2、内存芯片的容量
现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：
存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量
在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte）。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。
不过，M×W是最简单的表示方法。下图则是某公司对自己内存芯片的容量表示方法，这可以说是最正规的形式之一。
业界正规的内存芯片容量表示方法
我们可以计算一下，结果可以发现这三个规格的容量都是128Mbits，只是由于位宽的变化引起了存储单元的数量变化。从这个例子就也可以看出，在相同的总容量下，位宽可以采用多种不同的设计。
3、与芯片位宽相关的DIMM设计
为什么在相同的总容量下，位宽会有多种不同的设计呢？这主要是为了满足不同领域的需要。现在大家已经知道P-Bank的位宽是固定的，也就是说当芯片位宽确定下来后，一个P-Bank中芯片的个数也就自然确定了，而前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有要求，对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些（因为所用的芯片少），但在芯片容量相同时，这种DIMM的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组，因为后者在一个P- Bank中可以容纳更多的芯片。比如上文中那个内存芯片容量标识图，容量都是128Mbit，合16MB。如果DIMM采用双P-Bank+16bit芯片设计，那么只能容纳8颗芯片，计128MB。但如果采用 4bit位宽芯片，则可容纳32颗芯片，计512MB。DIMM容量前后相差出4倍，可见芯片位宽对DIMM设计的重要性。因此，8bit位宽芯片是桌面台式机上容量与成本之间平衡性较好的选择，所以在市场上也最为普及，而高于16bit位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合，如显卡等，至于4bit位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域，基本不会在标准的Unbuffered 模组设计中出现。
BANK数＝颗粒数×位宽/64bit
下面来看看INTEL各芯片组对于内存的支持（资料来自于官方文档）
其中，芯片容量可如下计算：
芯片容量＝内存容量×8bit/颗粒数
例如：
256M的内存，双面16颗粒，则芯片容量为256×8/16＝128bit
Intel440BX芯片组支持的SDRAM芯片类型
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芯片容量|数据深度| 位宽|行地址线|列地址线|逻辑BANK数|单BANK最大容量
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| 2M | 8bit | 12 | 9 | 2 | 16MB
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| 2M | 8bit | 13 | 8 | 2 | 16MB
16M bit |—————————————————————————————
| 4M | 4bit | 12 | 10 | 2 | 32MB
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| 4M | 4bit | 14 | 8 | 2 | 32MB
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| 4M |16bit| 14 | 8 | 4 | 32MB
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64M bit | 8M | 8bit | 14 | 9 | 4 | 64MB
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| 16M | 4bit | 14 | 10 | 4 | 128MB
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Intel 815（E/EP）芯片组支持的SDRAM芯片类型
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芯片容量|数据深度| 位宽|行地址线|列地址线|逻辑BANK数|单BANK最大容量
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16M bit | 2M | 8bit | 11 | 9 | 2 | 16MB
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| 8M | 8bit | 12 | 9 | 4 | 64MB
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64M bit | 4M |16bit | 12 | 8 | 4 | 32MB
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| 16M | 4bi t| 14 | 10 | 4 | 128MB
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| 16M | 8bit | 12 | 10 | 4 | 128MB
128M bit|—————————————————————————————
| 8M |16bit| 12 | 9 | 4 | 64MB
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| 32M | 8bit | 13 | 10 | 4 | 256MB
256M bit|—————————————————————————————
| 16M |16bit | 13 | 9 | 4 | 128MB
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也有传闻说815EP可支持32M×4的结构，但据我测试好像不行。
其实从上表可以清楚地看出为什么会产生这样的情况了。
同样一根256M内存，如果位宽不在支持之列，假设颗粒为8M×32bit，则位宽不被北桥所识别，则该内存无法使用；
同时，若颗粒为16×16bit，则这时颗粒数应为8颗，则BANK=8×16/64＝2，该内存有2个BANK，而从表中可以看到单BANK可以支持到128M，则1根DIMM可以支持到256M，完全可以使用。
若像大度内存，位宽为4，数据深度为32M，则由表中可见，位宽为4bit的内存，最大支
持的数据深度为16M，则在BX和815EP主板上都识别为128M，其余容量丢失。
市面上常见的内存芯片格式：
芯片格式 容量 内存条主要形式 bx、815、via 备注
8M×8 8M 单面64M， 双面128M 均支持 主流内存
16M×4 8M 无单面 双面128M 均支持 较少见
16M×8 16M 单面128M，双面256M 均支持 主流内存
16M×16 32M 单面256M，双面512M bx不支持 很少见
32M×4 16M 无单面 双面256M bx、815E不支持 例：大度256M内存
32M×8 32M 单面256M，双面512M bx不支持 例：ncp单面256M内存
结论：
所以，对于128M以下的内存条来说，目前这些芯片组都支持。
对于256M内存，bx主板不支持所有的单面256M内存。
bx和815E主板都不支持大度256M双面内存。
其他内存基本没有问题。
发信人: dzy (小D§爱佳佳), 信区: CompMarket
标 题: 关于内存bank和主板支持的问题简述
发信站: BBS 水木清华站 (Sun Jun 17 13:15:14 2001)
解释一下：类似的文章前面好几个人写过了，ifan也刚刚写过。但是我觉得这个问题确实
比较难以理解，我也是看过了好多文章才弄明白。所以我想我来说一说可能
还是会有用处，因为每个人写文章的侧重点都不太一样，读者所能读到的东西
可能就不一样。所以我自己又写了写，不是认为前人写的文章不好，
大家别误会。
正文：
对于内存的bank和芯片组支持内存的问题，好多人搞不明白。我也是一知半解。
今天把以前的文章看了看，发现自己又多理解了一点。现在我针对普通的网友
把这件事情解释一下，同时可以回答几个问题：
1,内存的标号——数据深度M×数据宽度（单位bit）。这就是一般内存芯片上**M×**
的含义。比如16×8、8×8等，包括显存也是如此。如果芯片上没有直接标出，也
可以在编号中看出，一般是在编号的中部几个数字，如ncp内存编号：
NP33S328256K-7.5
中间的328就是32M×8，其他内存也是如此，大家找一找象168、324这样的数字就可以了。
2,内存芯片的容量计算：数据深度×数据宽度。比如16×8的芯片，就是16×8=128Mb。
注意！是Mb，而8bit＝1Byte，所以8Mb＝1MB。平时大家说的128M内存，8M芯片等等都是
指的MB。所以换算成大家常说的MB的话，就应该这么算：
数据深度×数据宽度/8＝内存颗粒容量
数一数内存条上有几个芯片，这条内存的总容量也就算出来了。
大家可以自己验证一下。
3,物理bank。大家经常提到显存的数据位宽这个概念，比如说tnt2是128位的，geforce
256就是256位的。内存也是如此，它是64位的，就是说cpu从内存读写数据，是64位并行。
而对于一条内存来说，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。
这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。
如：
128M内存16×8格式8个芯片：8×8=64，所以单面内存单bank
128M内存8×8格式16个芯片：8×16=128，所以双面内存双bank
大度256M内存32×4格式16个芯片：4×16=64，所以双面内存单bank
256M内存16M×16格式 8各芯片：16×8=128，所以单面内存双bank
所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系，大家可以理解了吧？
4,主板对于内存的支持：
主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。
每种芯片组具体支持的内存格式可以去intel、via等官方网站上查到。
内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同：
内存颗粒数据宽度 4 8 16
bx支持的最大数据深度 16 16 4
815E 16 32 16
via芯片组 支持所有深度
当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是
可以正常使用。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为 64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的 SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。
以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。 P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P -Bank已经不能满足容量的需要。所以，芯片组开始可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作，这就有了芯片组支持多少（物理）Bank 的说法。而在 Intel的定义中，则称P-Bank为行（Row），比如845G芯片组支持4个行，也就是说它支持4个P-Bank。另外，在一些文档中，也把P- Bank称为Rank（列）。
逻辑Bank与芯片位宽
讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
L-Bank存储阵列示意图
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。所以人们在 SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了 32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。
这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。
2、内存芯片的容量
现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：
存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量
在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte）。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。
不过，M×W是最简单的表示方法。下图则是某公司对自己内存芯片的容量表示方法，这可以说是最正规的形式之一。
业界正规的内存芯片容量表示方法
我们可以计算一下，结果可以发现这三个规格的容量都是128Mbits，只是由于位宽的变化引起了存储单元的数量变化。从这个例子就也可以看出，在相同的总容量下，位宽可以采用多种不同的设计。
3、与芯片位宽相关的DIMM设计
为什么在相同的总容量下，位宽会有多种不同的设计呢？这主要是为了满足不同领域的需要。现在大家已经知道P-Bank的位宽是固定的，也就是说当芯片位宽确定下来后，一个P-Bank中芯片的个数也就自然确定了，而前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有要求，对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些（因为所用的芯片少），但在芯片容量相同时，这种DIMM的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组，因为后者在一个P- Bank中可以容纳更多的芯片。比如上文中那个内存芯片容量标识图，容量都是128Mbit，合16MB。如果DIMM采用双P-Bank+16bit芯片设计，那么只能容纳8颗芯片，计128MB。但如果采用 4bit位宽芯片，则可容纳32颗芯片，计512MB。DIMM容量前后相差出4倍，可见芯片位宽对DIMM设计的重要性。因此，8bit位宽芯片是桌面台式机上容量与成本之间平衡性较好的选择，所以在市场上也最为普及，而高于16bit位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合，如显卡等，至于4bit位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域，基本不会在标准的Unbuffered 模组设计中出现。