嘉定桃园新村怎么样:K9F1G08U0B中文资料部分

K9F1G08U0B中文资料（部分）
128*8Bit NAND Flash存储器
工作电压范围：2.7~3.6V 存储单元：8位
特征描述
组织：存储单元为（128M+4M）*8位，数据寄存器为（2K+64）字节
自动页编程（写操作）和擦除：自动页编程（写操作）为（2K+64）字节，块擦除为（128K+4K）字节
页读操作：页大小为（2K+64）字节，任意读最大时间为25us，串行存取时间最小为：25ns
最快写操作周期：页编程（写操作）时间为200us，块擦除时间为1.5ms
命令/地址/数据I/O端口
概述
K9F1G08U0B的容量为1056Mbit（128M×8bits+64byte×64K×8bits）。K9F1G08U0B的页编程操作（写操作）在（2K+64）字节的也上执行，时间为200us，块擦除操作是在（128K+4K)字节的块上执行，时间为1.5ms。数据寄存器里的数据每字节被读出是用25ns是时间周期。I/O引脚为地址、命令和数据复用引脚。
引脚描述
引脚名称
引脚功能
I/O0~I/O7
命令、地址和数据复用引脚。命令和地址的输入，数据的输入输出
CLE
命令锁存使能引脚
ALE
地址锁存使能引脚
CE
片选信号引脚（低电平有效）
RE
读使能引脚（低电平有效）
WE
写使能引脚（低电平有效）
WP
写保护引脚（低电平有效）
R/B
就绪/忙输出信号引脚（高电平表示就绪，低电平表示忙）
Vcc
电源引脚
Vss
地引脚
N.C
空脚
内部存储单元组织结构如图3所示。
 
发送地址说明
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
第一周期
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
第二周期
A8
A9
A10
A11
L
L
L
L
第三周期
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
第四周期
A20
A21
A22
A23
A24
A25
A26
A27
注释：1、第一和第二周期为列地址，第三和第四周期为行地址
2、L表示为低电平
产品描述
K9F1G08U0B的存储容量为1056MBit。由65536页（行）和2112列组成。又分为1024块，1块大小为64页（行）。每页大小为2112列（2K+64bytes（字节）），即2048bytes（字节）和附加的64bytes（字节）。附加的64bytes（即为OOB，out of band的缩写）的地址为2048~2111。
读页操作和页编程操作（写操作）都是基于页的，而擦除操作是基于块的。
K9F1G08U0B的8位I/O口为地址、命令和数据复用。这样方便以后升级到大容量。命令、地址和数据在WE和CE位低电平时写入I/O口，在WE下降沿被锁存。命令靠使能CLE来锁存，地址靠使能ALE来锁存。一些命令需要一个总线周期，例如：复位命令、状态读等。一些命令需要两个总线周期，在这两个周期里，第一个来建立，第二个来执行，例如读页、块擦除和页编程。132M字节的物理空间需要28位地址序列，28位地址序列需要4个总线周期发送到I/O端口：前两个发送列地址序列，后两个发送行地址序列。同样，页读和页编程在输入相应的命令之后再输入4个地址序列。而擦除操作只需要两个行地址。下表为K9F1G08U0B的命令
功能
第一周期
第二周期
忙时可接受的命令
读
00h
30h
回读
00h
35h
读ID
90h
-
复位
FFh
-
O
页编程（读页）
80h
10h
页回写
85h
10h
块擦除
60h
D0h
任意数据输入
85h
-
任意数据输出
05h
E0h
读状态
70h
O
读EDC状态
7Bh
O
注释：1、任意数据输入/输出可在一页中执行
2、只有在Copy Back操作时才可读EDC状态
3、任何未定义命令都不可以输入
最初无效块（坏块）描述
坏块有两种：出厂时的坏块（叫最初无效块）和使用过程中出现的坏块。
最初无效块被定义为那些包含1位或多位最初无效位的块。出厂时可能会有坏块，被称为最初无效块，三星公司已标出，三星公司在最初无效块的第一和第二页的地址2048处（OOB区的第一个字节）用非FF标记，在这些坏块（最初无效块）上不得执行擦除和页编程命令。
在使用过程中也会出现坏块，即当我们擦除块或页编程失败时，我们就认为此块为坏块。当出现坏块时，我们要在该块的第一页和第二页的OOB区的第一个字节（地址2048处）用非FF标记。
对于未用块（此块中未存放数据），在擦除一块时我们要先检查一下此块是否是坏块（读该块第一页和第二页的OOB区的第一个字节,若是FF为好块，若是非FF为坏块），好块可以擦除，坏块则不可以擦除。当擦除或页编程失败时，就认为此块为坏块。此时要进行标记。
Nand flash有个特性：存储单元只能从1变为0，而不能从0变为1。所以在进行页编程时要先对此块进行擦除，擦除成功之后，存储单元变为1，之后就可以进行页编程了。对于以用块（此块中以存放数据），我们要先将存放的数据读出，再擦除，成功之后就可以将读出的数据和我们要写如的数据一块写进该块了。若失败标记该块为坏块，用其他未用好块存放我们的数据。
K9F1G08U0B的ID的读
当输入读ID命令后，我们可以连续读出5个字节
第一个字节为ECh，表示制造商号，表示是三星公司生产
第二个字节为F1h，表示机器号，表示是K9F1G08U0B
第三个、第四个和第五个字节分别为00h、95h、40h，其涵义如下
第三个字节涵义
描述
I/O7
I/O6
I/O5     I/O4
I/O3     I/O2
I/O1      I/O0
内部芯片数
1
2
4
8
0              0
0              1
1              0
1              1
存储单元类型
2
4
8
16
0              0
0              1
1              0
1               1
可同时进行页编程的个数
1
2
4
8
0              0
0              1
1              0
1              1
多片间是否可插入编程
不支持
支持
0
1
编程是否支持缓存
不支持
支持
0
1
第四个字节涵义
描述
I/O7
I/O6
I/O5    I/O4
I/O3
I/O2
I/O1  I/O0
页大小
1KB
2KB
4KB
8KB
0           0
0           1
1           0
1            1
块大小
64KB
128KB
256KB
512KB
0           0
0           1
1           0
1           1
多余区域大小（1）
8
16
0
1
组织结构
×8
×16
0
1
最小串行存取时间
50ns/30ns
25ns
保留
保留
0
1
0
1
0
0
1
1
（1）关于“多余区域大小”：用来计算空闲区域的大小，计算公式为：多余区域大小乘以（页大小除以512）
第五个字节涵义
描述
I/O78
I/O6    I/O5     I/O4
I/O3    I/O2
I/O1
I/O0
层个数
1
2
4
8
0           0
0           1
1           0
1           1
层大小
64Mb
128Mb
256Mb
512Mb
1G
2G
4G
8G
0           0         0
0           0         1
0            1        0
0            1         1
1           0         0
1           0          1
1           1          0
1           1          1
保留
0
0
0