偶看新闻莫诺美黑白熊拟人图片:电路板术语目录
来源：百度文库 编辑：偶看新闻 时间：2024/05/03 09:38:14
1、Active parts(Devices) 主動零件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指半導體類之各種主動性集成電路器或晶體管，相對另有 Passive﹣Parts被動零件，如電阻器、電容器等。 2、Array 排列，數組（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 系指通孔的孔位，或表面黏裝的焊墊，以方格交點式着落在闆面上(即矩陣式)的數組情形。常見"針腳格點式排列"的插裝零件稱爲 PGA(Pin Grid Array)，另一種"球腳格點矩陣式排列"的貼裝零件，則稱爲 BGA(Ball Grid Array)。 3、ASIC 特定用途的集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） Application-Specific Integrated Circuit，如電視、音響、錄放機、攝影機等各種專用型訂做的 IC 即是。 4、Axial-lead 軸心引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指傳統圓柱式電阻器或電容器，均自兩端中心有接腳引出，用以插裝在闆子通孔中，以完成其整體功能。 5、Ball Grid Array 球腳數組(封裝) （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種大型組件的引腳封裝方式，與 QFP的四面引腳相似，都是利用SMT錫膏焊接與電路闆相連。其不同處是羅列在四周的"一度空間"單排式引腳，如鷗翼形伸腳、平伸腳、或縮回腹底的J型腳等；改變成腹底全面數組或局部數組，采行二度空間面積性的焊錫球腳分布，做爲芯片封裝體對電路闆的焊接互連工具。BGA是 1986年Motorola公司所開發的封裝法，先期是以 BT有機闆材制做成雙面載闆(Substrate)，代替傳統的金屬腳架(Lead Frame)對 IC進行封裝。BGA最大的好處是腳距 (Lead Pitch)比起 QFP要寬松很多，目前許多QFP的腳距已緊縮到 12.5mil 甚至 9.8mil 之密距 (如 P5 筆記型計算機所用 Daughter Card 上 320 腳 CPU 的焊墊即是，其裸銅墊面上的焊料現采 Super Solder法施工)，使得PCB的制做與下遊組裝都非常困難。但同功能的CPU若改成腹底全面方陣列腳的BGA方式時，其腳距可放松到 50 或60mil，大大舒緩了上下遊的技術困難。目前BGA約可分五類，即：
(1)塑料載闆(BT)的 P-BGA(有雙面及多層)，此類國内已開始量産。
(2)陶瓷載闆的C-BGA
(3)以TAB方式封裝的 T-BGA
(4)隻比原芯片稍大一些的超小型m-BGA
(5)其它特殊 BGA ，如 Kyocera 公司的 D-Bga (Dimpled) ,olin的M-BGA及 Prolinx公司的V-BGA等。後者特别值得一提，因其産品首先在國内生産，且十分困難。做法是以銀膏做爲層間互連的導電物料，采增層法(Build Up)制做的 V-BGA (Viper) ，此載闆中因有兩層厚達10mil以上的銅片充任散熱層，故可做爲高功率(5～6W)大型IC的封裝用途。 6、Bare Chip Assembly 裸體芯片組裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 從已完工的晶圓(Water)上切下的芯片，不按傳統之 IC 先行封裝成體，而将芯片直接組裝在電路闆上，謂之 Bare Chip Assembly。早期的 COB (Chip on Board)做法就是裸體芯片的具體使用，不過 COB 是采芯片的背面黏貼在闆子上，再行打線及膠封。而新一代的 Bare Chip 卻連打線也省掉，是以芯片正面的各電極點，直接反扣熔焊在闆面各配合點上，稱爲 Flip Chip 法。或以芯片的凸塊扣接在 TAB 的内腳上，再以其外腳連接在 PCB 上。此二種新式組裝法皆稱爲 "裸體芯片" 組裝，可節省整體成本約 30% 左右。 7、Beam Lead 光芒式的平行密集引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指"卷帶自動結合"(TAB)式的載體引腳，可将裸體芯片直接焊接在TAB的内腳上，并再利用其外腳焊接在電路闆上，這種做爲芯片載體的梁式平行密集排列引腳，稱爲 Beam Lead。 8、Bonding Wire 結合線（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指從 IC 内藏的芯片與引腳整間完成電性結合的金屬細線而言，常用者有金線及鋁線，直徑在 1-2mil之間。 9、Bump 突塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指各種突起的小塊，如杜邦公司一種 SSD 制程(Selective Solder Deposit)中的各種 Solder Bump 法，即"突塊"的一種用途(詳見電路闆信息雜志第 48 期P.72)。又，TAB 之組裝制程中，芯片(Chip)上線路面的四周外圍，亦做有許多小型的焊錫或黃金"突塊"(面積約 1μ2 )，可用以反扣覆接在 TAB 的對應内腳上，以完成"晶粒"(Chip)與"載闆"(PCB)各焊墊的互連。此"突塊"之角色至爲重要，此制程目前國内尚未推廣。 10、Bumping Process凸塊制程（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指在線路完工的晶圓表面，再制做上微小的焊錫凸塊(或黃金凸塊)，以方便下遊進行 TAB與Flip Chip等封裝與組裝制程。這種尺寸在1mm左右的微小凸塊，其制作技術非常困難，國内至今尚未投入生産。 11、C4 Chip Joint，C4芯片焊接（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 利用錫鉛之共融合金(63/37) 做成可高溫軟塌的凸球，并定構于芯片背面或線路正面，對下遊電路闆進行"直接安裝"(DCA)，謂之芯片焊接。C4爲IBM公司二十多年前所開故的制程，原指"對芯片進行可控制軟塌的芯片焊接"(Controlled Collapsed Chip Connection)，現又廣用于 P-BGA對主機闆上的組裝焊接，是芯片連接以外的另一領域塌焊法。 12、Capacitance 電容（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 當兩導體間有電位差存在時，其介質之中會集蓄電能量，些時将會有"電容"出現。其數學表達方式C＝Q／V，即電容(法拉)＝電量(庫倫)／電壓(伏特)。若兩導體爲平行之平闆(面積 A)，而相距 d，且該物質之介質常數(Dielectric Constant)爲ε時，則C＝εA／d。故知當A、d不變時，介質常數愈低，則其間所出現的電容也将愈小。 13、Castallation堡型集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種無引腳大型芯片(VLSI)的瓷質封裝體，可利用其各垛口中的金屬墊與對應闆面上的焊墊進行焊接。此種堡型 IC 較少用于一般性商用電子産品，隻有在大型計算機或軍用産品上才有用途。 14、Chip Interconnection芯片互連（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指半導體集成電路(IC)内心髒部份之芯片(Chip)，在進行封裝成爲完整零件前之互連作業。傳統芯片互連法，是在其各電極點與引腳之間采打線方式 (Wire Bonding) 進行；後有"卷帶自動結合"(TAB)法；以及最先進困難的"覆晶法" (Flip Chip)。後者是近乎裸晶大小的封裝法(CSP)，精密度非常高。 15、Chip on Board 芯片黏着闆 （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是将集成電路之芯片，以含銀的環氧樹脂膠，直接貼合黏着在電路闆上，并經由引腳之"打線"(Wire Bonding)後，再加以适當抗垂流性的環氧樹脂或矽烷(Silicone)樹脂，将 COB 區予以密封，如此可省掉集成電路的封裝成本。一些消費級的電子表筆或電子表，以及各種定時器等，皆可利用此方式制造。該次微米級的超細線路是來自鋁膜真空蒸着(Vacuum Deposit)，精密光阻，及精密電漿蝕刻(Plasma Etching)法所制得的晶圓。再将晶圓切割而得單獨芯片後，并續使晶粒在定架中心完成焊裝(Die Bond)後，再經接腳打線、封裝、彎腳成型即可得到常見的 IC。其中四面接腳的大型 IC(VLSI)又稱"Chip Carrier芯片載體"，而新式的 TAB 也是一種無需先行封裝的"芯片載體"。又自 SMT 盛行以來，原應插裝的電阻器及電容器等，爲節省闆面組裝空間及方便自動化起見，已将其卧式軸心引腳的封裝法，更改而爲小型片狀體，故亦稱爲片狀電阻器 Chip Resistor ，或片狀電容器 Chip Capacitor等。又，Chips是指鑽針上鑽尖部份之第一面切削刃口之崩壞，謂之Chips。 16、Chip On Glass晶玻接裝(COG) (芯片對玻璃電路闆的直接安裝) （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 液晶顯像器 (LCD) 玻璃電路中，其各ITO(Indium Tin Oxide)電極，須與電路闆上的多種驅動 IC互連，才能發揮顯像的功能。目前各類大型IC仍廣采QFP封裝方式，故須先将 QFP安裝在PCB上，然後再用導電膠(如Ag/Pd膏、Ag膏、單向導電膠等) 與玻璃電路闆互連結合。新開故的做法是把驅動用大型IC (Driver LSI)的Chip，直接用"覆晶"方式扣裝在玻璃闆的ITO電極點上，稱爲 COG法，是一很先進的組裝技術。類似的說法尚有COF(Chip on Film)等。Conformal Coating 貼護層，護形完成零件裝配的闆子， 爲使整片闆子外形受到仔細的保護起見，再以絕緣性的塗料予以封護塗裝，使有更好的信賴性。一般軍用或較高層次的裝配闆，才會用到這種外形貼護層。 17、Chip 晶粒、芯片、片狀（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 各種集成電路(IC)封裝體的心髒位置處，皆裝有線路密集的晶粒(Dies)或芯片(Chip)，此種小型的"線路片"，是從多片集合的晶圓(Wafer)上所切割而來。 18、Daisy Chained Design菊瓣環設計（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指由四周"矩墊"緊密排列所組成之方環狀設計，如同菊瓣依序羅列而成的花環。常見者如芯片外圍之電極墊，或闆面各式QFP之焊墊均是。 19、Device 電子組件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指在一獨立個體上，可執行獨立運作的功能，且非經破壞無法再進一步區分其用途的基本電子零件。 20、Dicing芯片分割（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指将半導體晶圓(Wafer)，以鑽石刀逐一切割成電路體系完整的芯片 (Chip)或晶粒(Die)單位，其分割之過程稱爲Dicing。 21、Die Attach晶粒安裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 将完成測試與切割後的良好晶粒，以各種方法安裝在向外互連的引線架體系上(如傳統的Lead Frame或新型的 BGA載闆)，稱爲"安晶"。然後再自晶粒各輸出點 (Output)與腳架引線間打線互連，或直接以凸塊(Bump)進行覆晶法 (Flip Chip)結合，完成 IC的封裝。上述之"晶粒安裝"，早期是以芯片背面的鍍金層配合腳架上的鍍金層，采高溫結合(T. C. Bond)或超音波結合 (U. C. Bond)下完成結合，故稱爲 Die Bond。但目前爲了節省鍍金與因應闆面"直接晶粒安裝"(DCA或COB)之新制程起見，已改用含銀導熱膠之接着，代替鍍金層熔接，故改稱爲"Die Attach"。 22、Die Bonding 晶粒接着（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） Die 亦指集成電路之心髒部份,系自晶圓(Wafer)上所切下一小片有線路的"晶粒"，以其背面的金層，與定架(Lead Frame)中央的鍍金面，做瞬間高溫之機械壓迫式熔接(Thermo Compression Bonding,T.C.Bonding)。或以環氧樹脂之接着方式予以固定，稱爲 Die Bond，完成 IC 内部線路封裝的第一步。 23、Diode 二極管（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 爲半導體組件"晶體管"(Transistor)之一種，有兩端點接在一母體上，當所施加電壓的極性大小不同時，亦将展現不同導體性質。另一種"發光二極管"可代替儀表闆上各種顔色的發光點，比一般燈泡省電又耐用。目前二極管已多半改成 SMT 形式，圖中所示者即爲 SOT-23 之解剖圖。 24、DIP(Dual Inline Package)雙排腳封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指具有雙排對稱接腳的零件，可在電路闆的雙排對稱腳孔中進行插焊。此種外形的零件以早期的各式 IC 居多，而部份"網狀電阻器"亦采用之。 25、Discrete Component 散裝零件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指一般小型被動式的電阻器或電容器，有别于主動零件功能集中的集成電路。 26、Encapsulating 囊封、膠囊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 爲了防水或防止空氣影響，對某些物品加以封包而與外界隔絕之謂。 27、End Cap 封頭（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指 SMD 一些小型片狀電阻器或片狀電容器，其兩端可做爲導電及焊接的金屬部份，稱爲End Cap。 28、Flat Pack 扁平封裝（之零件）（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指薄形零件，如小型特殊的 IC 類，其兩側有引腳平行伸出，可平貼焊接在闆面，使組裝品的體積或厚度得以大幅降低，多用于軍品，是SMT的先河。 29、Flip Chip覆晶，扣晶（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 芯片在闆面上的反扣直接結合，早期稱爲 Facedown Bonding，是以凸出式金屬接點(如Gold Bump或 Solder Bump)做連接工具。此種凸起狀接點可安置在芯片上，或承接的闆面上，再用 C4焊接法完成互連。是一種芯片在闆面直接封裝兼組裝之技術 (DCA或COB)。 30、Four Point Twisting四點扭曲法（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 本法是針對一些黏焊在闆面上的大型QFP，欲了解其各焊點強度如何的一種外力試驗法。即在闆子的兩對角處設置支撐點，而于其它兩對角處施加壓力，強迫闆子扭曲變形，并從其變形量與壓力大小關系上，觀察各焊點的強度。 31、Gallium Arsenide(GaAs) 砷化镓 （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是常見半導體線路的一種基闆材料，其化學符号爲GaAs，可用以制造高速IC組件，其速度要比以矽爲芯片基材者更快。 32、Gate Array閘極數組，閘列（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是半導體産品的基本要素，指控制訊号入口之電極，習慣上稱之爲"閘"。 33、Glob Top圓頂封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指芯片直接安裝于闆面(Chip-On-Board)的一種圓弧外形膠封體(Encapsulant) 或其施工法而言。所用的封膠劑有環氧樹脂、矽樹脂(Silicone，又稱聚矽酮) 或其等混合膠類。 34、Gull Wing Tead 鷗翼引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 此種小型向外伸出的雙排腳，是專爲表面黏裝 SOIC 封裝之用，系 1971 年由荷蘭 Philips 公司所首先開發。此種本體與引腳結合的外形，很像海鷗展翅的樣子，故名"鷗翼腳"。其外形尺寸目前在 JEDEC 的 MS-012 及 -013 規範下，已經完成标準化。 35、Integrated Circuit(IC) 集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 在多層次的同一薄片基材上(矽材)，布置許多微小的電子組件(如電阻、電容、半導體、二極管、晶體管等)，以及各種微小的互連(Interconnection)導體線路等，所集合而成的綜合性主動零件，簡稱爲 I.C.。 36、J-Lead J 型接腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)"塑料晶(芯)片載體"(即 VLSI) 的标準接腳方式，由于這種雙面接腳或四面腳接之中大型表面黏裝組件，具有相當節省闆子的面積及焊後容易清洗的優點，且未焊裝前各引腳強度也甚良好不易變形，比另一種鷗翼接腳(Gull Wing Lead)法更容易維持"共面性"(Coplanarity)，已成爲高腳數SMD 在封裝(Packaging)及組裝(Assembly)上的最佳方式。 37、Lead 引腳，接腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 電子組件欲在電路闆上生根組裝時，必須具有各式引腳而用以完成焊接與互連的工作。早期的引腳多采插孔焊接式，近年來由于組裝密度的增加，而漸改成表面黏裝式 (SMD)的貼焊引腳。且亦有"無引腳"卻以零件封裝體上特定的焊點，進行表面黏焊者，是爲 Leadless 零件。 38、Known Good Die (KGD)已知之良好芯片（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） IC之芯片可稱爲Chip或Die，完工的晶圓 (Wafer)上有許多芯片存在，其等品質有好有壞，繼續經過壽命試驗後 (Burn-in Test亦稱老化試驗)，其已知電性良好的芯片稱爲 KGD。不過KGD的定義相當分歧，即使同一公司對不同産品或同一産品又有不同客戶時，其定義也都難以一緻。一種代表性說法是：「某種芯片經老化與電測後而有良好的電性品質，續經封裝與組裝之量産一年以上，仍能維持其良率在99. 5％以上者，這種芯片方可稱KGD」。 39、Lead Frame 腳架（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 各種有密封主體及多隻引腳的電子組件，如集成電路器(IC)，網狀電阻器或簡單的二極管三極體等，其主體與各引腳在封裝前所暫時固定的金屬架，稱成 Lead Frame。此詞亦被稱爲定架或腳架。其封裝過程是将中心部份的芯片(Die，或 Chip 芯片)，以其背面的金層或銀層，利用高溫熔接法與腳架中心的鍍金層加以固定,稱爲 Die Bond。再另金線或鋁線從已牢固的芯片與各引腳之間予以打線連通，稱爲 Lead Bond。然後再将整個主體以塑料或陶瓷予以封牢，并剪去腳架外框，及進一步彎腳成形，即可得到所需的組件。故知"腳架"在電子封裝工業中占很重要的地位。其合金材料常用者有 Kovar、Alloy 42 以及磷青銅等，其成形的方式有模具沖切法及化學蝕刻法等。 40、Lead Pitch腳距（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指零件各種引腳中心線間的距離。早期插孔裝均爲 100mil的标準腳距，現密集組裝SMT的QFP腳距，由起初的 50mil一再緊縮，經 25mil、 20mil、16mil、12. 5mil至9.8mil等。一般認爲腳距在 25mil (0.653mm)以下者即稱爲密距(Fine Pitch)。 41、Multi-Chip-Module (MCM) 多芯片(芯片)模塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這是從 90 年才開始發展的另一種微電子産品，類似目前小型電路闆的IC卡或Smart卡等。不過 MCM所不同者，是把各種尚未封裝成體的IC，以"裸體芯片"(Bare Chips)方式，直接用傳統"Die Bond"或新式的 Flip Chip 或TAB 之方式，組裝在電路闆上。如同早期在闆子上直接裝一枚芯片的電子表筆那樣，還需打線及封膠，稱爲COB(Chip On Bond)做法。但如今的 MCM 卻複雜了許多，不僅在多層闆上裝有多枚芯片，且直接以"凸塊"結合而不再"打線"。是一種高層次 (High End) 的微電子組裝。MCM的定義是僅在小闆面上，進行裸體芯片無需打線的直接組裝，其芯片所占全闆面積在 70％以上。這種典型的MCM共有三種型式即 (目前看來以D型最具潛力)：
MCM-L：系仍采用PCB各種材質的基闆(Laminates)，其制造設傋及方法也與PCB完全相同，隻是較爲輕薄短小而已。目前國内能做IC卡，線寬在5mil孔徑到 10 mil 者，将可生産此類 MCM 。但因需打芯片及打線或反扣焊接的關系，緻使其鍍金"凸塊"(Bump)的純度須達99.99％，且面積更小到1微米見方，此點則比較困難。
MCM-C：基材已改用混成電路(Hybrid)的陶瓷闆(Ceramic)，是一種瓷質的多層闆(MLC)，其線路與Hybrid類似，皆用厚膜印刷法的金膏或钯膏銀膏等做成線路，芯片的組裝也采用反扣覆晶法。
MCM-D：其線路層及介質層的多層結構，是采用蒸着方式(Deposited)的薄膜法，或Green Tape的線路轉移法，将導體及介質逐次叠層在瓷質或高分子質的底材上，而成爲多層闆的組合，此種 MCM-D 爲三種中之最精密者。 42、OLB(Outer Lead Bond)外引腳結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是"卷帶自動結合"TAB(Tape Automatic Bonding)技術中的一個制程站是指TAB 組合體外圍四面向外的引腳，可分别與電路闆上所對應的焊墊進行焊接，稱爲"外引腳結合"。這種TAB組合體亦另有四面向内的引腳，是做爲向内連接集成電路芯片(Chip 或稱芯片)用的，稱爲内引腳接合(ILB)，事實上内腳與外腳本來就是一體。故知TAB技術，簡單的說就是把四面密集的内外接腳當成"橋梁"，而以OLB 方式把複雜的IC芯片半成品，直接結合在電路闆上，省去傳統IC事先封裝的麻煩。 43、Packaging封裝，構裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 此詞簡單的說是指各種電子零件，完成其"密封"及"成型"的系列制程而言。但若擴大延伸其意義時，那幺直到大型計算機的完工上市前，凡各種制造工作都可稱之爲"Interconnceted Packaging互連構裝"。若将電子王國分成許多層次的階級制度時(Hierarchy)，則電子組裝或構裝的各種等級，按規模從小到大将有：Chip(芯片、芯片制造)，Chip Carrier(集成電路器之單獨成品封裝)，Card(小型電路闆之組裝)，及Board(正規電路闆之組裝)等四級，再加"系統構裝"則共有五級。 44、Passive Device(Component)被動組件（零件）（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指一些電阻器(Resistor)、電容器(Capacitor)，或電感器(Incuctor)等零件。當其等被施加電子訊号時，仍一本初衷而不改變其基本特性者，謂之"被動零件"；相對的另有主動零件(Active Device)，如晶體管(Tranistors)、二極管(Diodes)或電子管(Electron Tube)等。 45、Photomask光罩（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這是微電子工業所用的術語，是指半導體晶圓(Wafer)在感光成像時所用的玻璃底片，其暗區之遮光劑可能是一般底片的乳膠，也可能是極薄的金屬膜(如鉻)。此種光罩可用在塗有光阻劑的"矽晶圓片"面上進行成像，其做法與PCB很相似，隻是線路寬度更縮細至微米(1～2μm)級，甚至次微米級(0.5μm)的精度，比電路闆上最細的線還要小100倍。(1 mil＝25.4μm)。 46、Pin Grid Array(PGA)矩陣式針腳封裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指一種複雜的封裝體，其反面是采矩陣式格點之針狀直立接腳，能分别插裝在電路闆之通孔中。正面則有中間下陷之多層式芯片封裝互連區，比起"雙排插腳封裝體"(DIP)更能布置較多的I/O Pins。附圖即爲其示意及實物圖。 47、Popcorn Effect爆米花效應（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 原指以塑料外體所封裝的IC，因其芯片安裝所用的銀膏會吸水，一旦未加防範而徑行封牢塑體後，在下遊組裝焊接遭遇高溫時，其水分将因汽化壓力而造成封體的爆裂，同時還會發出有如爆米花般的聲響，故而得名。近來十分盛行P-BGA的封裝組件，不但其中銀膠會吸水，且連載闆之BT基材也會吸水，管理不良時也常出現爆米花現象。 48、Potting鑄封，模封（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指将容易變形受損，或必須隔絕的各種電子組裝體，先置于特定的模具或凹穴中，以液态的樹脂加以澆注灌滿，待硬化後即可将線路組體固封在内，并可将其中空隙皆予以填滿，以做爲隔絕性的保護，如TAB電路、集成電路，或其它電路組件等之封裝，即可采用Potting法。Potting與Encapsulating很類似，但前者更強調固封之内部不可出現空洞(Voids)的缺陷。 49、Power Supply電源供應器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指可将電功供應給另一單元的裝置，如變壓器(Transfomer)、整流器(Rectifier)、濾波器(Filter)等皆屬之，能将交流電變成直流電，或在某一極限内，維持其輸入電壓的恒定等裝置。 50、Preform預制品（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 常指各種封裝原料或焊接金屬等，爲方便施工起見，特将其原料先做成某種容易操控掌握的形狀，如将熱熔膠先做成小片或小塊，以方便稱取重量進行熔化調配。或将瓷質IC 熔封用的玻璃，先做成小珠狀， 或将焊錫先做成小球小珠狀，以利調成錫膏(Solder Paste)等，皆稱爲Preform。 51、 Purple Plague紫疫（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 當金與鋁彼此長久緊密的接觸，并曝露于濕氣以及高溫(350℃以上)之環境中時，其接口間生成的一種紫色的共化物謂之Purple Plague。此種"紫疫"具有脆性，會使金與鋁之間的"接合"出現崩壞的情形，且此現象當其附近有矽(Silicone)存在時，更容易生成"三元性"(Ternary)的共化物而加速惡化。因而當金層必須與鋁層密切接觸時，其間即應另加一種"屏障層"(Barrier)，以阻止共化物的生成。故在TAB上遊的"凸塊"(Bumping)制程中，其芯片(Chip)表面的各鋁墊上，必須要先蒸着一層或兩層的钛、鎢、鉻、鎳等做爲屏障層，以保障其凸塊的固着力。(詳見電路闆信息雜志第66期P.55)。 52、Quad Flat Pack(QFP)方扁形封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指具有方型之本體，又有四面接腳之"大規模集成電路器"(VLSI)的一般性通稱。此類用于表面黏裝之大型IC，其引腳型态可分成J型腳(也可用于兩面伸腳的SOIC，較易保持各引腳之共面性Coplanarity)、鷗翼腳(Gull Wing)、平伸腳以及堡型無接腳等方式。平常口語或文字表達時，皆以QFP爲簡稱，亦有口語稱爲Quad Pack。大陸業界稱之爲"大型積成塊"。 53、Radial Lead放射狀引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指零件的引腳是從本體側面散射而出，如各種DIP或QFP等，與自零件兩端點伸出的軸心引腳(Axial lead)不同。 54、Relay繼電器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種如同活動接點的特殊控制組件，當通過之電流超過某一"定值"時，該接點會斷開(或接通)，而讓電流出現"中斷及續通"的動作，以刻意影響同一電路或其它電路中組件之工作。按其制造之原理與結構，而制作成電磁圈、半導體、壓力式、雙金屬之感熱、感光式及簧片開關等各種方式的繼電器，是電機工程中的重要組件。 55、Semi-Conductor半導體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指固态物質(例如Silicon)，其電阻系數(Resistivity)是介乎導體與電阻體之間者，稱爲半導體。 56、Separable Component Part可分離式零件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指在主要機體上的零件或附件，其等與主體之間沒有化學結合力存在，且亦未另加保護皮膜、焊接或密封材料(Potting Compound)等補強措施；使得随時可以拆離，稱爲"可分離式零件"。 57、Silicon矽（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種黑色晶體狀的非金屬原素，原子序14，原子量28，約占地表物質總重量比的25％，其氧化物之二氧化矽即砂土主要成份。純矽之商業化制程，系将 SiO2 經由複雜程序的多次還原反應，而得到99.97％的純矽晶體，切成薄片後可用于半導體"晶圓"的制造，是近代電子工業中最重要的材料。 58、Single-In-line Package(SIP)單邊插腳封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種隻有一直排針柱狀插腳，或金屬線式插腳的零件封裝體，謂之SIP 59、Solder Bump焊錫凸塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 芯片(Chip)可直接在電路闆面上進行反扣焊接(Filp Chip on Board)，以完成芯片與電路闆的組裝互連。這種反扣式的COB覆晶法，可以省掉芯片許多先行封裝 (Package) 的制程及成本。但其與闆面之各接點，除PCB需先備妥對應之焊接基地外，芯片本身之外圍各對應點，也須先做上各種圓形或方形的微型"焊錫凸塊"，當其凸塊隻安置在"芯片"四周外圍時稱爲FCOB，若芯片全表面各處都有凸塊皆布時，則其覆晶反扣焊法特稱爲"Controlled Collapsed Chip Connection"簡稱C4法。 60、Solder Colum Package錫柱腳封裝法（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是IBM公司所開發的制程。系陶瓷封裝體 C-BGA以其高柱型錫腳在電路闆上進行焊接組裝之方法。此種焊錫柱腳之錫鉛比爲90／10，高度約150mil，可在柱基加印錫膏完成熔焊。此錫柱居于PCB與 C-BGA之間，有分散應力及散熱的功效，對大型陶瓷零件 (邊長達35mm～64mm)十分有利。 61、Spinning Coating自轉塗布（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 半導體晶圓(Wafer)面上光阻劑之塗布，多采自轉式塗布法。系将晶圓裝設在自轉盤上，以感光乳膠液小心澆在圓面中心，然後利用離心力 (Centrifugal Force)與附着力兩者較勁後的平衡，而在圓面上留下一層均勻光阻皮膜的塗布法稱之。此法亦可用于其它場合的塗布施工。 62、Tape Automated Bonding (TAB)卷帶自動結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種将多接腳大規模集成電路器(IC)的芯片(Chip)，不再先進行傳統封裝成爲完整的個體，而改用TAB載體，直接将未封芯片黏裝在闆面上。即采"聚亞醯胺"(Polyimide)之軟質卷帶，及所附銅箔蝕成的内外引腳當成載體，讓大型芯片先結合在"内引腳"上。經自動測試後再以"外引腳"對電路闆面進行結合而完成組裝。這種将封裝及組裝合而爲一的新式構裝法，即稱爲TAB法。此 TAB 法不但可節省 IC 事前封裝的成本，且對 300 腳以上的多腳VLSI，在其采行 SMT 組裝而困難重重之際，TAB将是多腳大零件組裝的新希望(詳見電路闆信息雜志第66期之專文)。 63、Thermocompression Bonding熱壓結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是 IC的一種封裝方法，即将很細的金線或鋁線，以加溫加壓的方式将其等兩線端分别結合在芯片(芯片)的各電極點與腳架(Lead Frame)各對應的内腳上，完成其功能的結合，稱爲"熱壓結合"，簡稱T.C.Bond。 64、Thermosonic Bonding熱超音波結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指集成電路器中，其芯片與引腳間"打線結合"的一種方法。即利用加熱與超音波兩種能量合并進行，謂之 Thermosonic Bonding，簡稱 TS Bond。 65、Thin Small Outline Packange(TSOP) 薄小型集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 小型兩側外伸鷗翼腳之"IC"(SOIC)，其腳數的約 20～48腳，含腳在内之寬度6～12mm，腳距0.5mil。若用于 PCMCIA或其它手執型電子産品時，則還要進一步将厚度減薄一半，稱爲TSOP。此種又薄又小的雙排腳IC可分爲兩型； TypeⅠ 是從兩短邊向外伸腳，TypeⅡ是從兩長邊向外伸腳。 66、Three-Layer Carrier三層式載體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這是指"卷帶自動結合"(TAB) 式"芯片載體"的基材結構情形，由薄片狀之樹脂層(通常用聚亞醯胺之薄膜)、銅箔，及居于其間的接着劑層等三層所共同組成，故稱爲 Three-Layer Carrier。相對有"兩層式載體"，即除掉中間接着劑層的TAB産品。 67、Transfer Bump移用式突塊，轉移式突塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 卷帶自動結合式的芯片載體，其内引腳與芯片之結合，必須要在芯片各定點處，先做上所需的焊錫突塊或黃金的突塊，當成結合點與導電點。其做法之一就是在其它載體上先備妥突塊，于進行芯片結合前再将突塊轉移到各内腳上，以便繼續與芯片完成結合。這種先做好的突塊即稱爲"移用式突塊"。 68、Transistor晶體管（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種半導體式的動态零件(Active Components)，具有三個以上的電極，能執行整流及放大的功能。其中芯片之原物料主要是用到鍺及矽元素，并刻意加入少許雜質，以形成負型(n Type)及正型(p Type)等不同的簡單半導體，稱之爲"晶體管"。此種 Transistor有引腳插裝或SMT黏裝等方式。 69、Ultrasonic Bonding超音波結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是利用超音波頻率(約10 KHz)振蕩的能量，及機械壓力的雙重作用下，可将金線或鋁線，在IC半導體芯片上完成打線的操作。 70、Two Layer Carrier兩層式載體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這也是"卷帶式芯片載體"的一種新材料，與業界一向所使用的三層式載體不同。其最大的區别就是取消了中間的接着劑層，隻剩下"Polyimide"的樹脂層及銅箔層等兩層直接密貼，不但在厚度上變薄及更具柔軟性外，其它性能也多有改進，隻是目前尚未達到量産化的地步。 71、Very Large-Scale Integration(VLSI)極大規模集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 凡在單一晶粒(Die)上所容納的半導體(Transistor)其數量在 8 萬個以上，且其間互聯機路的寬度在1.5μ(60μin)以下，而将此種極大容量的晶粒封裝成爲四面多接腳的方型 IC 者，稱爲 VLSI 。按其接腳方式的不同，此等 VLSI有J型腳、鷗翼腳、扁平長腳、堡型墊腳，等多種封裝方式。目前容量更大接腳更多(如250腳以上)的 IC ，由于在電路上的 SMT 安裝日漸困難，于是又改将裸體晶粒先裝在 TAB 載架的内腳上，再轉裝于 PCB 上；以及直接将晶粒反扣覆裝，或正貼焊裝在闆面上，不過目前皆尚未在一般電子性工業量産中流行。 72、Wafer晶圓（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是半導體組件"晶粒"或"芯片"的基材，從拉伸長出的高純度矽元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圓形薄片稱爲"晶圓"。之後采用精密"光罩"經感光制程得到所需的"光阻"，再對矽材進行精密的蝕刻凹槽，及續以金屬之真空蒸着制程，而在各自獨立的"晶粒或芯片"(Die，Chip)上完成其各種微型組件及微細線路。至于晶圓背面則還需另行蒸着上黃金層，以做爲晶粒固着(Die Attach) 于腳架上的用途。以上流程稱爲Wafer Fabrication。早期在小集成電路時代，每一個6吋的晶圓上制作數以千計的晶粒，現在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的晶圓上也隻能完成一兩百個大型芯片。Wafer的制造雖動辄投資數百億，但卻是所有電子工業的基礎。 73、Wedge Bond楔形結合點（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 半導體封裝工程中，在芯片與引腳間進行各種打線；如熱壓打線 TC Bond、熱超音波打線TS Bond、及超音波打線UC Bond等。打牢結合後須将金線末端壓扁拉斷，以便另在其它區域繼續打線。此種壓扁與拉斷的第二點稱爲 Wedge Bond。至于打線頭在芯片上起點處，先行壓縮打上的另一種球形結合點，則稱爲 Ball Bond。左四圖分别爲兩種結合點的側視圖與俯視圖，以及其等之實物體。Welding熔接也是屬于一種金屬的結合(Bonding)方法，與軟焊(soldering或稱錫焊)、硬焊(Brazing)同屬"冶金式"(Metallugical)的結合法。熔接法的強度雖很好，但接點之施工溫度亦極高，須超過被接合金屬的熔點，故較少用于電子工業。 74、Wire Bonding打線結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 系半導體 IC封裝制程的一站，是自IC晶粒 (Die或 Chip)各電極上，以金線或鋁線(直徑3μ)進行各式打線結合，再牽線至腳架(Lead Frame)的各内腳處續行打線以完成回路，這種兩端打線的工作稱爲 Wire Bond。 75、Zig-Zag In-Line Package (ZIP)鏈齒狀雙排腳封裝件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 凡電子零件之封裝體具有單排腳之結構，且其單排腳又采不對稱"交錯型式"的安排，如同拉鏈左右交錯之鏈齒般，故稱爲Zig-Zag式。ZIP是一種低腳數插焊小零件的封裝法，也可做成表面黏裝型式。不過此種封裝法隻在日本業界中較爲流行。 76、ASIC Application Specific Integrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 特定用途之集成電路器是依照客戶特定的需求與功能而設計及制造的IC，是一種可進行小量生産，快速變更生産機種，并能維持低成本的IC。 77、BGA Ball Grid Array （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 矩陣式球墊表面黏裝組件(與PGA類似，但爲S MD) 78、BTAB Bumped Tape-Automated Bonding （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 已有突塊的自動結合卷帶指TAB卷帶的各内腳上已轉移有突塊，可用以與裸體得片進行自動結合。 79、C-DIP Ceramic Dual -in-line Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 瓷質雙祭腳封裝體(多用于IC) 80、C4 Controlled Collapse Chpi connection （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 可總握高度的裸體芯片反扣熔塌焊接 81、CMOS Complimentary Metal-Oxide Semiconductor （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 互補性金屬氧化物半導體 (是融合P通路及N通路在同一片"金屬氧化物半導體"上的技術) 82、COB Chip On Board （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 芯片在電路闆上直接組裝。是一種早期将裸體芯片在PCB上直接組裝的方式。系以芯片的背面采膠黏方式結合在小型鍍金的PCB上，再進行打線及膠封即完成組裝，可省掉IC本身封裝的制程及費用。早期的電子表筆與 LED電子表等均将采COB法。不過這與近年裸體芯片反扣組裝法 (Flip Chip)不同，新式的反扣法不但能自動化且連打線 (Wire Bond) 也省掉，而其品質與可靠度也都比早期的COB要更好。 83、CSP Chip Scale Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 晶粒級封裝 84、DIP Dual Inline Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 雙排腳封裝體 (多指早期插孔組裝的集成電路器) 85、FET Field-Effect Tranistor （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 場效晶體管利用輸入電壓所形成的電場，可對輸出電流加以控制，一種半導體組件，能執行放大、振蕩及開關等功能。一般分爲"接面閘型"場效晶體管，與"金屬氧化物半導體"場效晶體管等兩類 86、GaAs Gallium Arsenide (Semiconductor ) （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 砷化半導體是由砷(As)與 (Ga)所化合而成的半導體，其能隙寬度爲1.4電子伏特，可用在晶體管之組件，其溫度上限可達400℃。通常在砷化 半導體中其電子的移動速度，要比矽半導體中快六倍。GaAs将可發展成高頻高速用的"集成電路"，對超高速計算機及微波通信之用途将有很好的遠景。 87、HIC Hybrid Integrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 混合集成電路将電阻、電容與配線采厚膜糊印在瓷闆上，另将二極管與晶體管以矽片爲材料，再結合于瓷闆上，如此混合組成的組件稱爲HIC。 88、IC Integrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 集成電路器是将許多主動組件 (晶體管、二極管)和被動組件 (電阻、電容、配線)等互連成爲列陣，而生長在一片半導體基片上 (如矽或砷化 等)，是一種微型組件的集合體，可執行完整的電子電路功能。亦稱爲單石電路 (Monolihic Circuits)。 89、ILB Inner Lead Bonding （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 内引腳結合是指将TAB的内引腳與芯片上的突塊 (Bump ; 鍍錫鉛或鍍金者)，或内引腳上的突塊與芯片所進行反扣結合的制程。 90、KGD Known Good Die （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 确知良好芯片 91、LCC Leadless Chip Carrier （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 無腳芯片載體(是大型IC的一種) 92、LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 瓷質無腳芯片載(大型IC的一種) 93、LGA Land Grid Array （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 焊墊格點排列指矩陣式排列之引腳焊墊，如BGA"球腳數組封裝體"，或CGA"柱腳數組封裝體"等皆屬之。 94、LSI Large Scale Integration （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 大規模集成電路指一片矽半導體的芯片上，具有上千個基本邏輯閘和晶體管等各種獨立微型之組件者，稱爲LSI。 95、MCM Multichip Module （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 多芯片模塊是指一片小型電路闆上，組裝多枚裸體芯片，且約占表面積 70% 以上者稱爲MCM。此種MCM共有 L、C及D等三型。L型(Laminates)是指由樹脂積層闆所制作的多層闆。 C(Co-Fired) 是指由瓷質闆材及厚膜糊印刷所共燒的混成電路闆，D(Deposited)則采集成電路的真空蒸着技術在瓷材上所制作的電路闆。 96、PGA Pin Grid Array （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 矩陣式插腳封裝組件 97、PLCC Plastic Leaded Chip Carrier （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 有腳塑料封裝芯片載體(膠封大型IC) 98、QFP Quad Flat Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 四面督平接腳封裝體(指大型芯片載體之瓷封及膠封兩種IC) 99、SIP Single Inline Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 單排腳封裝體 100、SOIC Small Outline Intergrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 小型外貼腳集成電路器指雙排引腳之小型表面黏裝IC，有鷗翼腳及 J型腳兩種。 101、SOJ Small Outline J-lead Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 雙排J型腳之封裝組件 102、SOT Small-Outline Transistors （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 小型外貼腳之晶體管 103、TAB Tape Automatic Bonding （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 卷帶自動結合技術是先将裸體芯片以鍍金或鍍錫鉛的"突塊"(Bump)反扣結合在"卷帶腳架"的内腳上 (ILB) ，經自動測試後，再以卷帶架的外腳結合在電路闆的焊墊上(OLB) ，這種以卷帶式腳架爲中間載體，而将裸體芯片直接組裝在 PCB上的技術，稱爲"TAB技術"。 104、TCP Tape Carrier Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 卷帶載體封裝(此爲日式說法，與美式說法TAB"卷帶自動結合"相同) 105、TFT Thin Film Transistor （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 薄膜式晶體管可用于大面積LCD之彩色顯像，對未來之薄型電視非常有用。 106、TSOP Thin Small Outline Plackage （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 薄超型外引腳封裝體是一種又薄又小雙排腳表面黏裝的微小IC，其厚度僅 1.27mm，爲正統SOJ高度的四分之一而已。 107、ULSI Ultra Large Scale Integration （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 超大規模集成電路 108、VHSIC Very High Speed Integrated Chips （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 極高速集成電路芯
(1)塑料載闆(BT)的 P-BGA(有雙面及多層)，此類國内已開始量産。
(2)陶瓷載闆的C-BGA
(3)以TAB方式封裝的 T-BGA
(4)隻比原芯片稍大一些的超小型m-BGA
(5)其它特殊 BGA ，如 Kyocera 公司的 D-Bga (Dimpled) ,olin的M-BGA及 Prolinx公司的V-BGA等。後者特别值得一提，因其産品首先在國内生産，且十分困難。做法是以銀膏做爲層間互連的導電物料，采增層法(Build Up)制做的 V-BGA (Viper) ，此載闆中因有兩層厚達10mil以上的銅片充任散熱層，故可做爲高功率(5～6W)大型IC的封裝用途。 6、Bare Chip Assembly 裸體芯片組裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 從已完工的晶圓(Water)上切下的芯片，不按傳統之 IC 先行封裝成體，而将芯片直接組裝在電路闆上，謂之 Bare Chip Assembly。早期的 COB (Chip on Board)做法就是裸體芯片的具體使用，不過 COB 是采芯片的背面黏貼在闆子上，再行打線及膠封。而新一代的 Bare Chip 卻連打線也省掉，是以芯片正面的各電極點，直接反扣熔焊在闆面各配合點上，稱爲 Flip Chip 法。或以芯片的凸塊扣接在 TAB 的内腳上，再以其外腳連接在 PCB 上。此二種新式組裝法皆稱爲 "裸體芯片" 組裝，可節省整體成本約 30% 左右。 7、Beam Lead 光芒式的平行密集引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指"卷帶自動結合"(TAB)式的載體引腳，可将裸體芯片直接焊接在TAB的内腳上，并再利用其外腳焊接在電路闆上，這種做爲芯片載體的梁式平行密集排列引腳，稱爲 Beam Lead。 8、Bonding Wire 結合線（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指從 IC 内藏的芯片與引腳整間完成電性結合的金屬細線而言，常用者有金線及鋁線，直徑在 1-2mil之間。 9、Bump 突塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指各種突起的小塊，如杜邦公司一種 SSD 制程(Selective Solder Deposit)中的各種 Solder Bump 法，即"突塊"的一種用途(詳見電路闆信息雜志第 48 期P.72)。又，TAB 之組裝制程中，芯片(Chip)上線路面的四周外圍，亦做有許多小型的焊錫或黃金"突塊"(面積約 1μ2 )，可用以反扣覆接在 TAB 的對應内腳上，以完成"晶粒"(Chip)與"載闆"(PCB)各焊墊的互連。此"突塊"之角色至爲重要，此制程目前國内尚未推廣。 10、Bumping Process凸塊制程（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指在線路完工的晶圓表面，再制做上微小的焊錫凸塊(或黃金凸塊)，以方便下遊進行 TAB與Flip Chip等封裝與組裝制程。這種尺寸在1mm左右的微小凸塊，其制作技術非常困難，國内至今尚未投入生産。 11、C4 Chip Joint，C4芯片焊接（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 利用錫鉛之共融合金(63/37) 做成可高溫軟塌的凸球，并定構于芯片背面或線路正面，對下遊電路闆進行"直接安裝"(DCA)，謂之芯片焊接。C4爲IBM公司二十多年前所開故的制程，原指"對芯片進行可控制軟塌的芯片焊接"(Controlled Collapsed Chip Connection)，現又廣用于 P-BGA對主機闆上的組裝焊接，是芯片連接以外的另一領域塌焊法。 12、Capacitance 電容（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 當兩導體間有電位差存在時，其介質之中會集蓄電能量，些時将會有"電容"出現。其數學表達方式C＝Q／V，即電容(法拉)＝電量(庫倫)／電壓(伏特)。若兩導體爲平行之平闆(面積 A)，而相距 d，且該物質之介質常數(Dielectric Constant)爲ε時，則C＝εA／d。故知當A、d不變時，介質常數愈低，則其間所出現的電容也将愈小。 13、Castallation堡型集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種無引腳大型芯片(VLSI)的瓷質封裝體，可利用其各垛口中的金屬墊與對應闆面上的焊墊進行焊接。此種堡型 IC 較少用于一般性商用電子産品，隻有在大型計算機或軍用産品上才有用途。 14、Chip Interconnection芯片互連（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指半導體集成電路(IC)内心髒部份之芯片(Chip)，在進行封裝成爲完整零件前之互連作業。傳統芯片互連法，是在其各電極點與引腳之間采打線方式 (Wire Bonding) 進行；後有"卷帶自動結合"(TAB)法；以及最先進困難的"覆晶法" (Flip Chip)。後者是近乎裸晶大小的封裝法(CSP)，精密度非常高。 15、Chip on Board 芯片黏着闆 （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是将集成電路之芯片，以含銀的環氧樹脂膠，直接貼合黏着在電路闆上，并經由引腳之"打線"(Wire Bonding)後，再加以适當抗垂流性的環氧樹脂或矽烷(Silicone)樹脂，将 COB 區予以密封，如此可省掉集成電路的封裝成本。一些消費級的電子表筆或電子表，以及各種定時器等，皆可利用此方式制造。該次微米級的超細線路是來自鋁膜真空蒸着(Vacuum Deposit)，精密光阻，及精密電漿蝕刻(Plasma Etching)法所制得的晶圓。再将晶圓切割而得單獨芯片後，并續使晶粒在定架中心完成焊裝(Die Bond)後，再經接腳打線、封裝、彎腳成型即可得到常見的 IC。其中四面接腳的大型 IC(VLSI)又稱"Chip Carrier芯片載體"，而新式的 TAB 也是一種無需先行封裝的"芯片載體"。又自 SMT 盛行以來，原應插裝的電阻器及電容器等，爲節省闆面組裝空間及方便自動化起見，已将其卧式軸心引腳的封裝法，更改而爲小型片狀體，故亦稱爲片狀電阻器 Chip Resistor ，或片狀電容器 Chip Capacitor等。又，Chips是指鑽針上鑽尖部份之第一面切削刃口之崩壞，謂之Chips。 16、Chip On Glass晶玻接裝(COG) (芯片對玻璃電路闆的直接安裝) （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 液晶顯像器 (LCD) 玻璃電路中，其各ITO(Indium Tin Oxide)電極，須與電路闆上的多種驅動 IC互連，才能發揮顯像的功能。目前各類大型IC仍廣采QFP封裝方式，故須先将 QFP安裝在PCB上，然後再用導電膠(如Ag/Pd膏、Ag膏、單向導電膠等) 與玻璃電路闆互連結合。新開故的做法是把驅動用大型IC (Driver LSI)的Chip，直接用"覆晶"方式扣裝在玻璃闆的ITO電極點上，稱爲 COG法，是一很先進的組裝技術。類似的說法尚有COF(Chip on Film)等。Conformal Coating 貼護層，護形完成零件裝配的闆子， 爲使整片闆子外形受到仔細的保護起見，再以絕緣性的塗料予以封護塗裝，使有更好的信賴性。一般軍用或較高層次的裝配闆，才會用到這種外形貼護層。 17、Chip 晶粒、芯片、片狀（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 各種集成電路(IC)封裝體的心髒位置處，皆裝有線路密集的晶粒(Dies)或芯片(Chip)，此種小型的"線路片"，是從多片集合的晶圓(Wafer)上所切割而來。 18、Daisy Chained Design菊瓣環設計（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指由四周"矩墊"緊密排列所組成之方環狀設計，如同菊瓣依序羅列而成的花環。常見者如芯片外圍之電極墊，或闆面各式QFP之焊墊均是。 19、Device 電子組件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指在一獨立個體上，可執行獨立運作的功能，且非經破壞無法再進一步區分其用途的基本電子零件。 20、Dicing芯片分割（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指将半導體晶圓(Wafer)，以鑽石刀逐一切割成電路體系完整的芯片 (Chip)或晶粒(Die)單位，其分割之過程稱爲Dicing。 21、Die Attach晶粒安裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 将完成測試與切割後的良好晶粒，以各種方法安裝在向外互連的引線架體系上(如傳統的Lead Frame或新型的 BGA載闆)，稱爲"安晶"。然後再自晶粒各輸出點 (Output)與腳架引線間打線互連，或直接以凸塊(Bump)進行覆晶法 (Flip Chip)結合，完成 IC的封裝。上述之"晶粒安裝"，早期是以芯片背面的鍍金層配合腳架上的鍍金層，采高溫結合(T. C. Bond)或超音波結合 (U. C. Bond)下完成結合，故稱爲 Die Bond。但目前爲了節省鍍金與因應闆面"直接晶粒安裝"(DCA或COB)之新制程起見，已改用含銀導熱膠之接着，代替鍍金層熔接，故改稱爲"Die Attach"。 22、Die Bonding 晶粒接着（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） Die 亦指集成電路之心髒部份,系自晶圓(Wafer)上所切下一小片有線路的"晶粒"，以其背面的金層，與定架(Lead Frame)中央的鍍金面，做瞬間高溫之機械壓迫式熔接(Thermo Compression Bonding,T.C.Bonding)。或以環氧樹脂之接着方式予以固定，稱爲 Die Bond，完成 IC 内部線路封裝的第一步。 23、Diode 二極管（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 爲半導體組件"晶體管"(Transistor)之一種，有兩端點接在一母體上，當所施加電壓的極性大小不同時，亦将展現不同導體性質。另一種"發光二極管"可代替儀表闆上各種顔色的發光點，比一般燈泡省電又耐用。目前二極管已多半改成 SMT 形式，圖中所示者即爲 SOT-23 之解剖圖。 24、DIP(Dual Inline Package)雙排腳封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指具有雙排對稱接腳的零件，可在電路闆的雙排對稱腳孔中進行插焊。此種外形的零件以早期的各式 IC 居多，而部份"網狀電阻器"亦采用之。 25、Discrete Component 散裝零件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指一般小型被動式的電阻器或電容器，有别于主動零件功能集中的集成電路。 26、Encapsulating 囊封、膠囊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 爲了防水或防止空氣影響，對某些物品加以封包而與外界隔絕之謂。 27、End Cap 封頭（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指 SMD 一些小型片狀電阻器或片狀電容器，其兩端可做爲導電及焊接的金屬部份，稱爲End Cap。 28、Flat Pack 扁平封裝（之零件）（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指薄形零件，如小型特殊的 IC 類，其兩側有引腳平行伸出，可平貼焊接在闆面，使組裝品的體積或厚度得以大幅降低，多用于軍品，是SMT的先河。 29、Flip Chip覆晶，扣晶（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 芯片在闆面上的反扣直接結合，早期稱爲 Facedown Bonding，是以凸出式金屬接點(如Gold Bump或 Solder Bump)做連接工具。此種凸起狀接點可安置在芯片上，或承接的闆面上，再用 C4焊接法完成互連。是一種芯片在闆面直接封裝兼組裝之技術 (DCA或COB)。 30、Four Point Twisting四點扭曲法（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 本法是針對一些黏焊在闆面上的大型QFP，欲了解其各焊點強度如何的一種外力試驗法。即在闆子的兩對角處設置支撐點，而于其它兩對角處施加壓力，強迫闆子扭曲變形，并從其變形量與壓力大小關系上，觀察各焊點的強度。 31、Gallium Arsenide(GaAs) 砷化镓 （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是常見半導體線路的一種基闆材料，其化學符号爲GaAs，可用以制造高速IC組件，其速度要比以矽爲芯片基材者更快。 32、Gate Array閘極數組，閘列（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是半導體産品的基本要素，指控制訊号入口之電極，習慣上稱之爲"閘"。 33、Glob Top圓頂封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指芯片直接安裝于闆面(Chip-On-Board)的一種圓弧外形膠封體(Encapsulant) 或其施工法而言。所用的封膠劑有環氧樹脂、矽樹脂(Silicone，又稱聚矽酮) 或其等混合膠類。 34、Gull Wing Tead 鷗翼引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 此種小型向外伸出的雙排腳，是專爲表面黏裝 SOIC 封裝之用，系 1971 年由荷蘭 Philips 公司所首先開發。此種本體與引腳結合的外形，很像海鷗展翅的樣子，故名"鷗翼腳"。其外形尺寸目前在 JEDEC 的 MS-012 及 -013 規範下，已經完成标準化。 35、Integrated Circuit(IC) 集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 在多層次的同一薄片基材上(矽材)，布置許多微小的電子組件(如電阻、電容、半導體、二極管、晶體管等)，以及各種微小的互連(Interconnection)導體線路等，所集合而成的綜合性主動零件，簡稱爲 I.C.。 36、J-Lead J 型接腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)"塑料晶(芯)片載體"(即 VLSI) 的标準接腳方式，由于這種雙面接腳或四面腳接之中大型表面黏裝組件，具有相當節省闆子的面積及焊後容易清洗的優點，且未焊裝前各引腳強度也甚良好不易變形，比另一種鷗翼接腳(Gull Wing Lead)法更容易維持"共面性"(Coplanarity)，已成爲高腳數SMD 在封裝(Packaging)及組裝(Assembly)上的最佳方式。 37、Lead 引腳，接腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 電子組件欲在電路闆上生根組裝時，必須具有各式引腳而用以完成焊接與互連的工作。早期的引腳多采插孔焊接式，近年來由于組裝密度的增加，而漸改成表面黏裝式 (SMD)的貼焊引腳。且亦有"無引腳"卻以零件封裝體上特定的焊點，進行表面黏焊者，是爲 Leadless 零件。 38、Known Good Die (KGD)已知之良好芯片（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） IC之芯片可稱爲Chip或Die，完工的晶圓 (Wafer)上有許多芯片存在，其等品質有好有壞，繼續經過壽命試驗後 (Burn-in Test亦稱老化試驗)，其已知電性良好的芯片稱爲 KGD。不過KGD的定義相當分歧，即使同一公司對不同産品或同一産品又有不同客戶時，其定義也都難以一緻。一種代表性說法是：「某種芯片經老化與電測後而有良好的電性品質，續經封裝與組裝之量産一年以上，仍能維持其良率在99. 5％以上者，這種芯片方可稱KGD」。 39、Lead Frame 腳架（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 各種有密封主體及多隻引腳的電子組件，如集成電路器(IC)，網狀電阻器或簡單的二極管三極體等，其主體與各引腳在封裝前所暫時固定的金屬架，稱成 Lead Frame。此詞亦被稱爲定架或腳架。其封裝過程是将中心部份的芯片(Die，或 Chip 芯片)，以其背面的金層或銀層，利用高溫熔接法與腳架中心的鍍金層加以固定,稱爲 Die Bond。再另金線或鋁線從已牢固的芯片與各引腳之間予以打線連通，稱爲 Lead Bond。然後再将整個主體以塑料或陶瓷予以封牢，并剪去腳架外框，及進一步彎腳成形，即可得到所需的組件。故知"腳架"在電子封裝工業中占很重要的地位。其合金材料常用者有 Kovar、Alloy 42 以及磷青銅等，其成形的方式有模具沖切法及化學蝕刻法等。 40、Lead Pitch腳距（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指零件各種引腳中心線間的距離。早期插孔裝均爲 100mil的标準腳距，現密集組裝SMT的QFP腳距，由起初的 50mil一再緊縮，經 25mil、 20mil、16mil、12. 5mil至9.8mil等。一般認爲腳距在 25mil (0.653mm)以下者即稱爲密距(Fine Pitch)。 41、Multi-Chip-Module (MCM) 多芯片(芯片)模塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這是從 90 年才開始發展的另一種微電子産品，類似目前小型電路闆的IC卡或Smart卡等。不過 MCM所不同者，是把各種尚未封裝成體的IC，以"裸體芯片"(Bare Chips)方式，直接用傳統"Die Bond"或新式的 Flip Chip 或TAB 之方式，組裝在電路闆上。如同早期在闆子上直接裝一枚芯片的電子表筆那樣，還需打線及封膠，稱爲COB(Chip On Bond)做法。但如今的 MCM 卻複雜了許多，不僅在多層闆上裝有多枚芯片，且直接以"凸塊"結合而不再"打線"。是一種高層次 (High End) 的微電子組裝。MCM的定義是僅在小闆面上，進行裸體芯片無需打線的直接組裝，其芯片所占全闆面積在 70％以上。這種典型的MCM共有三種型式即 (目前看來以D型最具潛力)：
MCM-L：系仍采用PCB各種材質的基闆(Laminates)，其制造設傋及方法也與PCB完全相同，隻是較爲輕薄短小而已。目前國内能做IC卡，線寬在5mil孔徑到 10 mil 者，将可生産此類 MCM 。但因需打芯片及打線或反扣焊接的關系，緻使其鍍金"凸塊"(Bump)的純度須達99.99％，且面積更小到1微米見方，此點則比較困難。
MCM-C：基材已改用混成電路(Hybrid)的陶瓷闆(Ceramic)，是一種瓷質的多層闆(MLC)，其線路與Hybrid類似，皆用厚膜印刷法的金膏或钯膏銀膏等做成線路，芯片的組裝也采用反扣覆晶法。
MCM-D：其線路層及介質層的多層結構，是采用蒸着方式(Deposited)的薄膜法，或Green Tape的線路轉移法，将導體及介質逐次叠層在瓷質或高分子質的底材上，而成爲多層闆的組合，此種 MCM-D 爲三種中之最精密者。 42、OLB(Outer Lead Bond)外引腳結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是"卷帶自動結合"TAB(Tape Automatic Bonding)技術中的一個制程站是指TAB 組合體外圍四面向外的引腳，可分别與電路闆上所對應的焊墊進行焊接，稱爲"外引腳結合"。這種TAB組合體亦另有四面向内的引腳，是做爲向内連接集成電路芯片(Chip 或稱芯片)用的，稱爲内引腳接合(ILB)，事實上内腳與外腳本來就是一體。故知TAB技術，簡單的說就是把四面密集的内外接腳當成"橋梁"，而以OLB 方式把複雜的IC芯片半成品，直接結合在電路闆上，省去傳統IC事先封裝的麻煩。 43、Packaging封裝，構裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 此詞簡單的說是指各種電子零件，完成其"密封"及"成型"的系列制程而言。但若擴大延伸其意義時，那幺直到大型計算機的完工上市前，凡各種制造工作都可稱之爲"Interconnceted Packaging互連構裝"。若将電子王國分成許多層次的階級制度時(Hierarchy)，則電子組裝或構裝的各種等級，按規模從小到大将有：Chip(芯片、芯片制造)，Chip Carrier(集成電路器之單獨成品封裝)，Card(小型電路闆之組裝)，及Board(正規電路闆之組裝)等四級，再加"系統構裝"則共有五級。 44、Passive Device(Component)被動組件（零件）（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指一些電阻器(Resistor)、電容器(Capacitor)，或電感器(Incuctor)等零件。當其等被施加電子訊号時，仍一本初衷而不改變其基本特性者，謂之"被動零件"；相對的另有主動零件(Active Device)，如晶體管(Tranistors)、二極管(Diodes)或電子管(Electron Tube)等。 45、Photomask光罩（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這是微電子工業所用的術語，是指半導體晶圓(Wafer)在感光成像時所用的玻璃底片，其暗區之遮光劑可能是一般底片的乳膠，也可能是極薄的金屬膜(如鉻)。此種光罩可用在塗有光阻劑的"矽晶圓片"面上進行成像，其做法與PCB很相似，隻是線路寬度更縮細至微米(1～2μm)級，甚至次微米級(0.5μm)的精度，比電路闆上最細的線還要小100倍。(1 mil＝25.4μm)。 46、Pin Grid Array(PGA)矩陣式針腳封裝（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指一種複雜的封裝體，其反面是采矩陣式格點之針狀直立接腳，能分别插裝在電路闆之通孔中。正面則有中間下陷之多層式芯片封裝互連區，比起"雙排插腳封裝體"(DIP)更能布置較多的I/O Pins。附圖即爲其示意及實物圖。 47、Popcorn Effect爆米花效應（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 原指以塑料外體所封裝的IC，因其芯片安裝所用的銀膏會吸水，一旦未加防範而徑行封牢塑體後，在下遊組裝焊接遭遇高溫時，其水分将因汽化壓力而造成封體的爆裂，同時還會發出有如爆米花般的聲響，故而得名。近來十分盛行P-BGA的封裝組件，不但其中銀膠會吸水，且連載闆之BT基材也會吸水，管理不良時也常出現爆米花現象。 48、Potting鑄封，模封（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指将容易變形受損，或必須隔絕的各種電子組裝體，先置于特定的模具或凹穴中，以液态的樹脂加以澆注灌滿，待硬化後即可将線路組體固封在内，并可将其中空隙皆予以填滿，以做爲隔絕性的保護，如TAB電路、集成電路，或其它電路組件等之封裝，即可采用Potting法。Potting與Encapsulating很類似，但前者更強調固封之内部不可出現空洞(Voids)的缺陷。 49、Power Supply電源供應器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指可将電功供應給另一單元的裝置，如變壓器(Transfomer)、整流器(Rectifier)、濾波器(Filter)等皆屬之，能将交流電變成直流電，或在某一極限内，維持其輸入電壓的恒定等裝置。 50、Preform預制品（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 常指各種封裝原料或焊接金屬等，爲方便施工起見，特将其原料先做成某種容易操控掌握的形狀，如将熱熔膠先做成小片或小塊，以方便稱取重量進行熔化調配。或将瓷質IC 熔封用的玻璃，先做成小珠狀， 或将焊錫先做成小球小珠狀，以利調成錫膏(Solder Paste)等，皆稱爲Preform。 51、 Purple Plague紫疫（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 當金與鋁彼此長久緊密的接觸，并曝露于濕氣以及高溫(350℃以上)之環境中時，其接口間生成的一種紫色的共化物謂之Purple Plague。此種"紫疫"具有脆性，會使金與鋁之間的"接合"出現崩壞的情形，且此現象當其附近有矽(Silicone)存在時，更容易生成"三元性"(Ternary)的共化物而加速惡化。因而當金層必須與鋁層密切接觸時，其間即應另加一種"屏障層"(Barrier)，以阻止共化物的生成。故在TAB上遊的"凸塊"(Bumping)制程中，其芯片(Chip)表面的各鋁墊上，必須要先蒸着一層或兩層的钛、鎢、鉻、鎳等做爲屏障層，以保障其凸塊的固着力。(詳見電路闆信息雜志第66期P.55)。 52、Quad Flat Pack(QFP)方扁形封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是指具有方型之本體，又有四面接腳之"大規模集成電路器"(VLSI)的一般性通稱。此類用于表面黏裝之大型IC，其引腳型态可分成J型腳(也可用于兩面伸腳的SOIC，較易保持各引腳之共面性Coplanarity)、鷗翼腳(Gull Wing)、平伸腳以及堡型無接腳等方式。平常口語或文字表達時，皆以QFP爲簡稱，亦有口語稱爲Quad Pack。大陸業界稱之爲"大型積成塊"。 53、Radial Lead放射狀引腳（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指零件的引腳是從本體側面散射而出，如各種DIP或QFP等，與自零件兩端點伸出的軸心引腳(Axial lead)不同。 54、Relay繼電器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種如同活動接點的特殊控制組件，當通過之電流超過某一"定值"時，該接點會斷開(或接通)，而讓電流出現"中斷及續通"的動作，以刻意影響同一電路或其它電路中組件之工作。按其制造之原理與結構，而制作成電磁圈、半導體、壓力式、雙金屬之感熱、感光式及簧片開關等各種方式的繼電器，是電機工程中的重要組件。 55、Semi-Conductor半導體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指固态物質(例如Silicon)，其電阻系數(Resistivity)是介乎導體與電阻體之間者，稱爲半導體。 56、Separable Component Part可分離式零件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指在主要機體上的零件或附件，其等與主體之間沒有化學結合力存在，且亦未另加保護皮膜、焊接或密封材料(Potting Compound)等補強措施；使得随時可以拆離，稱爲"可分離式零件"。 57、Silicon矽（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種黑色晶體狀的非金屬原素，原子序14，原子量28，約占地表物質總重量比的25％，其氧化物之二氧化矽即砂土主要成份。純矽之商業化制程，系将 SiO2 經由複雜程序的多次還原反應，而得到99.97％的純矽晶體，切成薄片後可用于半導體"晶圓"的制造，是近代電子工業中最重要的材料。 58、Single-In-line Package(SIP)單邊插腳封裝體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種隻有一直排針柱狀插腳，或金屬線式插腳的零件封裝體，謂之SIP 59、Solder Bump焊錫凸塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 芯片(Chip)可直接在電路闆面上進行反扣焊接(Filp Chip on Board)，以完成芯片與電路闆的組裝互連。這種反扣式的COB覆晶法，可以省掉芯片許多先行封裝 (Package) 的制程及成本。但其與闆面之各接點，除PCB需先備妥對應之焊接基地外，芯片本身之外圍各對應點，也須先做上各種圓形或方形的微型"焊錫凸塊"，當其凸塊隻安置在"芯片"四周外圍時稱爲FCOB，若芯片全表面各處都有凸塊皆布時，則其覆晶反扣焊法特稱爲"Controlled Collapsed Chip Connection"簡稱C4法。 60、Solder Colum Package錫柱腳封裝法（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是IBM公司所開發的制程。系陶瓷封裝體 C-BGA以其高柱型錫腳在電路闆上進行焊接組裝之方法。此種焊錫柱腳之錫鉛比爲90／10，高度約150mil，可在柱基加印錫膏完成熔焊。此錫柱居于PCB與 C-BGA之間，有分散應力及散熱的功效，對大型陶瓷零件 (邊長達35mm～64mm)十分有利。 61、Spinning Coating自轉塗布（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 半導體晶圓(Wafer)面上光阻劑之塗布，多采自轉式塗布法。系将晶圓裝設在自轉盤上，以感光乳膠液小心澆在圓面中心，然後利用離心力 (Centrifugal Force)與附着力兩者較勁後的平衡，而在圓面上留下一層均勻光阻皮膜的塗布法稱之。此法亦可用于其它場合的塗布施工。 62、Tape Automated Bonding (TAB)卷帶自動結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種将多接腳大規模集成電路器(IC)的芯片(Chip)，不再先進行傳統封裝成爲完整的個體，而改用TAB載體，直接将未封芯片黏裝在闆面上。即采"聚亞醯胺"(Polyimide)之軟質卷帶，及所附銅箔蝕成的内外引腳當成載體，讓大型芯片先結合在"内引腳"上。經自動測試後再以"外引腳"對電路闆面進行結合而完成組裝。這種将封裝及組裝合而爲一的新式構裝法，即稱爲TAB法。此 TAB 法不但可節省 IC 事前封裝的成本，且對 300 腳以上的多腳VLSI，在其采行 SMT 組裝而困難重重之際，TAB将是多腳大零件組裝的新希望(詳見電路闆信息雜志第66期之專文)。 63、Thermocompression Bonding熱壓結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是 IC的一種封裝方法，即将很細的金線或鋁線，以加溫加壓的方式将其等兩線端分别結合在芯片(芯片)的各電極點與腳架(Lead Frame)各對應的内腳上，完成其功能的結合，稱爲"熱壓結合"，簡稱T.C.Bond。 64、Thermosonic Bonding熱超音波結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 指集成電路器中，其芯片與引腳間"打線結合"的一種方法。即利用加熱與超音波兩種能量合并進行，謂之 Thermosonic Bonding，簡稱 TS Bond。 65、Thin Small Outline Packange(TSOP) 薄小型集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 小型兩側外伸鷗翼腳之"IC"(SOIC)，其腳數的約 20～48腳，含腳在内之寬度6～12mm，腳距0.5mil。若用于 PCMCIA或其它手執型電子産品時，則還要進一步将厚度減薄一半，稱爲TSOP。此種又薄又小的雙排腳IC可分爲兩型； TypeⅠ 是從兩短邊向外伸腳，TypeⅡ是從兩長邊向外伸腳。 66、Three-Layer Carrier三層式載體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這是指"卷帶自動結合"(TAB) 式"芯片載體"的基材結構情形，由薄片狀之樹脂層(通常用聚亞醯胺之薄膜)、銅箔，及居于其間的接着劑層等三層所共同組成，故稱爲 Three-Layer Carrier。相對有"兩層式載體"，即除掉中間接着劑層的TAB産品。 67、Transfer Bump移用式突塊，轉移式突塊（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 卷帶自動結合式的芯片載體，其内引腳與芯片之結合，必須要在芯片各定點處，先做上所需的焊錫突塊或黃金的突塊，當成結合點與導電點。其做法之一就是在其它載體上先備妥突塊，于進行芯片結合前再将突塊轉移到各内腳上，以便繼續與芯片完成結合。這種先做好的突塊即稱爲"移用式突塊"。 68、Transistor晶體管（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是一種半導體式的動态零件(Active Components)，具有三個以上的電極，能執行整流及放大的功能。其中芯片之原物料主要是用到鍺及矽元素，并刻意加入少許雜質，以形成負型(n Type)及正型(p Type)等不同的簡單半導體，稱之爲"晶體管"。此種 Transistor有引腳插裝或SMT黏裝等方式。 69、Ultrasonic Bonding超音波結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是利用超音波頻率(約10 KHz)振蕩的能量，及機械壓力的雙重作用下，可将金線或鋁線，在IC半導體芯片上完成打線的操作。 70、Two Layer Carrier兩層式載體（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 這也是"卷帶式芯片載體"的一種新材料，與業界一向所使用的三層式載體不同。其最大的區别就是取消了中間的接着劑層，隻剩下"Polyimide"的樹脂層及銅箔層等兩層直接密貼，不但在厚度上變薄及更具柔軟性外，其它性能也多有改進，隻是目前尚未達到量産化的地步。 71、Very Large-Scale Integration(VLSI)極大規模集成電路器（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 凡在單一晶粒(Die)上所容納的半導體(Transistor)其數量在 8 萬個以上，且其間互聯機路的寬度在1.5μ(60μin)以下，而将此種極大容量的晶粒封裝成爲四面多接腳的方型 IC 者，稱爲 VLSI 。按其接腳方式的不同，此等 VLSI有J型腳、鷗翼腳、扁平長腳、堡型墊腳，等多種封裝方式。目前容量更大接腳更多(如250腳以上)的 IC ，由于在電路上的 SMT 安裝日漸困難，于是又改将裸體晶粒先裝在 TAB 載架的内腳上，再轉裝于 PCB 上；以及直接将晶粒反扣覆裝，或正貼焊裝在闆面上，不過目前皆尚未在一般電子性工業量産中流行。 72、Wafer晶圓（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 是半導體組件"晶粒"或"芯片"的基材，從拉伸長出的高純度矽元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圓形薄片稱爲"晶圓"。之後采用精密"光罩"經感光制程得到所需的"光阻"，再對矽材進行精密的蝕刻凹槽，及續以金屬之真空蒸着制程，而在各自獨立的"晶粒或芯片"(Die，Chip)上完成其各種微型組件及微細線路。至于晶圓背面則還需另行蒸着上黃金層，以做爲晶粒固着(Die Attach) 于腳架上的用途。以上流程稱爲Wafer Fabrication。早期在小集成電路時代，每一個6吋的晶圓上制作數以千計的晶粒，現在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的晶圓上也隻能完成一兩百個大型芯片。Wafer的制造雖動辄投資數百億，但卻是所有電子工業的基礎。 73、Wedge Bond楔形結合點（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 半導體封裝工程中，在芯片與引腳間進行各種打線；如熱壓打線 TC Bond、熱超音波打線TS Bond、及超音波打線UC Bond等。打牢結合後須将金線末端壓扁拉斷，以便另在其它區域繼續打線。此種壓扁與拉斷的第二點稱爲 Wedge Bond。至于打線頭在芯片上起點處，先行壓縮打上的另一種球形結合點，則稱爲 Ball Bond。左四圖分别爲兩種結合點的側視圖與俯視圖，以及其等之實物體。Welding熔接也是屬于一種金屬的結合(Bonding)方法，與軟焊(soldering或稱錫焊)、硬焊(Brazing)同屬"冶金式"(Metallugical)的結合法。熔接法的強度雖很好，但接點之施工溫度亦極高，須超過被接合金屬的熔點，故較少用于電子工業。 74、Wire Bonding打線結合（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 系半導體 IC封裝制程的一站，是自IC晶粒 (Die或 Chip)各電極上，以金線或鋁線(直徑3μ)進行各式打線結合，再牽線至腳架(Lead Frame)的各内腳處續行打線以完成回路，這種兩端打線的工作稱爲 Wire Bond。 75、Zig-Zag In-Line Package (ZIP)鏈齒狀雙排腳封裝件（BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 凡電子零件之封裝體具有單排腳之結構，且其單排腳又采不對稱"交錯型式"的安排，如同拉鏈左右交錯之鏈齒般，故稱爲Zig-Zag式。ZIP是一種低腳數插焊小零件的封裝法，也可做成表面黏裝型式。不過此種封裝法隻在日本業界中較爲流行。 76、ASIC Application Specific Integrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 特定用途之集成電路器是依照客戶特定的需求與功能而設計及制造的IC，是一種可進行小量生産，快速變更生産機種，并能維持低成本的IC。 77、BGA Ball Grid Array （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 矩陣式球墊表面黏裝組件(與PGA類似，但爲S MD) 78、BTAB Bumped Tape-Automated Bonding （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 已有突塊的自動結合卷帶指TAB卷帶的各内腳上已轉移有突塊，可用以與裸體得片進行自動結合。 79、C-DIP Ceramic Dual -in-line Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 瓷質雙祭腳封裝體(多用于IC) 80、C4 Controlled Collapse Chpi connection （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 可總握高度的裸體芯片反扣熔塌焊接 81、CMOS Complimentary Metal-Oxide Semiconductor （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 互補性金屬氧化物半導體 (是融合P通路及N通路在同一片"金屬氧化物半導體"上的技術) 82、COB Chip On Board （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 芯片在電路闆上直接組裝。是一種早期将裸體芯片在PCB上直接組裝的方式。系以芯片的背面采膠黏方式結合在小型鍍金的PCB上，再進行打線及膠封即完成組裝，可省掉IC本身封裝的制程及費用。早期的電子表筆與 LED電子表等均将采COB法。不過這與近年裸體芯片反扣組裝法 (Flip Chip)不同，新式的反扣法不但能自動化且連打線 (Wire Bond) 也省掉，而其品質與可靠度也都比早期的COB要更好。 83、CSP Chip Scale Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 晶粒級封裝 84、DIP Dual Inline Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 雙排腳封裝體 (多指早期插孔組裝的集成電路器) 85、FET Field-Effect Tranistor （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 場效晶體管利用輸入電壓所形成的電場，可對輸出電流加以控制，一種半導體組件，能執行放大、振蕩及開關等功能。一般分爲"接面閘型"場效晶體管，與"金屬氧化物半導體"場效晶體管等兩類 86、GaAs Gallium Arsenide (Semiconductor ) （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 砷化半導體是由砷(As)與 (Ga)所化合而成的半導體，其能隙寬度爲1.4電子伏特，可用在晶體管之組件，其溫度上限可達400℃。通常在砷化 半導體中其電子的移動速度，要比矽半導體中快六倍。GaAs将可發展成高頻高速用的"集成電路"，對超高速計算機及微波通信之用途将有很好的遠景。 87、HIC Hybrid Integrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 混合集成電路将電阻、電容與配線采厚膜糊印在瓷闆上，另将二極管與晶體管以矽片爲材料，再結合于瓷闆上，如此混合組成的組件稱爲HIC。 88、IC Integrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 集成電路器是将許多主動組件 (晶體管、二極管)和被動組件 (電阻、電容、配線)等互連成爲列陣，而生長在一片半導體基片上 (如矽或砷化 等)，是一種微型組件的集合體，可執行完整的電子電路功能。亦稱爲單石電路 (Monolihic Circuits)。 89、ILB Inner Lead Bonding （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 内引腳結合是指将TAB的内引腳與芯片上的突塊 (Bump ; 鍍錫鉛或鍍金者)，或内引腳上的突塊與芯片所進行反扣結合的制程。 90、KGD Known Good Die （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 确知良好芯片 91、LCC Leadless Chip Carrier （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 無腳芯片載體(是大型IC的一種) 92、LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 瓷質無腳芯片載(大型IC的一種) 93、LGA Land Grid Array （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 焊墊格點排列指矩陣式排列之引腳焊墊，如BGA"球腳數組封裝體"，或CGA"柱腳數組封裝體"等皆屬之。 94、LSI Large Scale Integration （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 大規模集成電路指一片矽半導體的芯片上，具有上千個基本邏輯閘和晶體管等各種獨立微型之組件者，稱爲LSI。 95、MCM Multichip Module （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 多芯片模塊是指一片小型電路闆上，組裝多枚裸體芯片，且約占表面積 70% 以上者稱爲MCM。此種MCM共有 L、C及D等三型。L型(Laminates)是指由樹脂積層闆所制作的多層闆。 C(Co-Fired) 是指由瓷質闆材及厚膜糊印刷所共燒的混成電路闆，D(Deposited)則采集成電路的真空蒸着技術在瓷材上所制作的電路闆。 96、PGA Pin Grid Array （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 矩陣式插腳封裝組件 97、PLCC Plastic Leaded Chip Carrier （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 有腳塑料封裝芯片載體(膠封大型IC) 98、QFP Quad Flat Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 四面督平接腳封裝體(指大型芯片載體之瓷封及膠封兩種IC) 99、SIP Single Inline Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 單排腳封裝體 100、SOIC Small Outline Intergrated Circuit （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 小型外貼腳集成電路器指雙排引腳之小型表面黏裝IC，有鷗翼腳及 J型腳兩種。 101、SOJ Small Outline J-lead Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 雙排J型腳之封裝組件 102、SOT Small-Outline Transistors （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 小型外貼腳之晶體管 103、TAB Tape Automatic Bonding （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 卷帶自動結合技術是先将裸體芯片以鍍金或鍍錫鉛的"突塊"(Bump)反扣結合在"卷帶腳架"的内腳上 (ILB) ，經自動測試後，再以卷帶架的外腳結合在電路闆的焊墊上(OLB) ，這種以卷帶式腳架爲中間載體，而将裸體芯片直接組裝在 PCB上的技術，稱爲"TAB技術"。 104、TCP Tape Carrier Package （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 卷帶載體封裝(此爲日式說法，與美式說法TAB"卷帶自動結合"相同) 105、TFT Thin Film Transistor （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 薄膜式晶體管可用于大面積LCD之彩色顯像，對未來之薄型電視非常有用。 106、TSOP Thin Small Outline Plackage （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 薄超型外引腳封裝體是一種又薄又小雙排腳表面黏裝的微小IC，其厚度僅 1.27mm，爲正統SOJ高度的四分之一而已。 107、ULSI Ultra Large Scale Integration （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 超大規模集成電路 108、VHSIC Very High Speed Integrated Chips （BGA、TAB、零件、封裝、Bonding） 極高速集成電路芯